第2149期
ESD保护二极管是一种齐纳二极管。
当二极管反向偏置时,有很少的电流从阴极流向阳极。然而,当反向偏压超过某一点(称为反向击穿电压)时,反向电流突然增加。随着反向偏压增加,无论二极管流过的电流大小,二极管都会形成恒定电压区域。利用齐纳二极管击穿电压(齐纳电压)特性可以构成恒压稳压器,抑制浪涌电压。齐纳稳压二极管用于保持恒定电压,而ESD保护二极管用于吸收ESD能量,保护电路。
1-1反向击穿电压
反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。
齐纳击穿
当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。齐纳击穿如图1.3所示。
雪崩击穿
当pn反向偏置时,少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速,获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离,成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞,产生更多的电子-空穴对,导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。
雪崩击穿和齐纳击穿对比
高击穿电压二极管掺杂浓度低,因此形成宽耗尽层(禁带)。相反,低击穿电压二极管掺杂浓度高,所以它们形成窄耗尽层(禁带)。二极管耗尽层宽时,不太可能发生电子隧穿(齐纳击穿),主要为雪崩击穿。高掺杂浓度二极管耗尽层窄,更容易发生齐纳击穿。随着温度上升,禁带(Eg)宽度减小,从而产生齐纳效应。此外,随着温度升高,半导体晶格振动增加,载流子迁移率相应下降。因此,不太可能发生雪崩击穿。齐纳击穿电压随温度升高减小,而雪崩击穿电压随温度升高增加。通常,大多数情况下,齐纳击穿电压约为6V以下,雪崩击穿电压约为6V以上。请注意,即使同一产品系列的二极管,温度特性也不一样。
图1.3齐纳击穿
1-2使用不同类型保护二极管(ESD保护二极管和用于过压保护的齐纳二极管)
ESD保护二极管是一种齐纳二极管,专门用来保护电路免受过压浪涌,特别是静电放电(ESD)事件的影响。ESD保护二极管主要用于ESD短脉冲,以及脉冲宽度几微秒以下的雷电感应和开关浪涌保护。专门用于脉冲宽度大于ESD浪涌保护的齐纳二极管,称为浪涌保护齐纳二极管。这些齐纳二极管适用于雷电感应和开关浪涌引起的、脉冲宽度大于几微秒的过压脉冲电路保护。
ESD保护二极管专门用于过压浪涌,特别是ESD放电电路保护,而不会影响信号线波形。ESD保护二极管电容为0.12pF至100pF。浪涌保护齐纳二极管具有宽结,以便吸收大量浪涌能量。这类二极管的总电容为100pF至600pF,适用于雷电感应和开关浪涌的保护。表1.2显示ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管适用于不同类型过压浪涌脉冲:
保护二极管是一种齐纳二极管。齐纳二极管不仅可以用作保护二极管,还可以用作稳压器。保护二极管专门用于保护电路免受ESD和其他瞬变脉冲的影响。相比之下,用于稳压的齐纳二极管击穿模式下保持导通。
保护二极管
保护二极管用作浪涌保护电压钳。这类二极管在电路施加电压过大时导通。
稳压二极管
当小电流(IZ)从阴极(K)流到阳极(A)时,二极管两端的电压可用作恒压源(VZ)。可用功率受二极管允许功耗及安装板允许功耗的限制。
图1.7稳压二极管的工作原理
ESD保护二极管插在信号线与GND之间,保护受保护器件(DUP)免受电压浪涌的影响。正常工作模式下(即没有ESD浪涌情况),除极少量电流(IR)流过二极管使其反向击穿电压(VBR)高于信号线电压之外,几乎没有电流流过ESD保护二极管。当高于反向击穿电压 (VBR)的浪涌电压进入信号线时,ESD保护二极管将大量电流分流到GND,从而抑制浪涌电压低于反向击穿电压(VBR)。
2-1等效电路及优点
正常工作期间
ESD保护二极管通常放在信号线与GND之间。因此,这些二极管在稳态下充当电容器。由于它们的电容和信号线的电阻组成低通滤波器(LPF),因此ESD保护二极管会造成插入损耗(IL),降低信号质量,取决其速度(特别是USB 3.0和USB 3.1等高速信号质量)。
浪涌电压情况下
当浪涌或外部噪声通过连接器进入系统时,对后面器件(如IC)的影响很大程度上取决于是否有ESD保护二极管。没有ESD保护二极管,浪涌电流全部直接流入敏感器件,造成器件故障或损坏。如果电路有ESD保护二极管,大部分浪涌电流通过它们分流到GND。ESD保护二极管动态电阻(Rdyn)表示浪涌电流分流到GND的难易程度。低动态电流ESD保护二极管能将更多浪涌电流分流到GND。这种二极管也有助于降低动态电阻,即端子之间电阻的电压(称为钳位电压)。ESD保护二极管动态电阻低,可减小流入受保护器件(DUP)的浪涌电流,从而为DUP提供更可靠保护。
正常工作状态(无ESD事件)的主要特性
由于ESD保护二极管反向连接,正常工作时,其两端电压低于反向击穿电压(VBR)。因此,ESD保护二极管正常工作时不导通。此时,pn结形成耗尽层,二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时,以下三个注意事项适用于正常工作状态:
3-1-1 ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)
3-1-2 ESD保护二极管总电容(CT)相对于受保护信号线的频率是否足够低
3-1-3 信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位)
ESD事件保护主要特性
当静电放电(ESD)进入系统时,ESD保护二极管要么导通,要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿,负ESD电击时导通吸收ESD能量。防止ESD脉冲损坏被保护器件(DUP),需要注意以下三点:
3-2-1 低动态电阻(RDYN)
3-2-2 低钳位电压(VC)和第一峰值电压
3-2-3 ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理
3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(1)
3-1(1)ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)
ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压(VBR)时,漏电流增加。电压接近VBR时,漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流(IR)随反向电压(VR)成指数增长。选择VRWM高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。
3-1(2)ESD保护二极管总电容(CT)相对于受保护信号线的频率是否足够低
图3.3显示ESD保护二极管的等效电路。二极管在正常工作期间不导通。此时,pn结交界面形成耗尽层,如图3.3所示。耗尽层在电气上起电容的作用。因此,除非在考虑被保护信号线频率的基础上,正确选择ESD保护二极管,否则信号质量会下降。图3.4显示了总电容(CT)分别为5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保护二极管插入损耗特性。电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。
降低总电容
(总电容由二极管结电容和封装中的寄生电容组成。其中很大一部分是结电容。)
反向偏置时,二极管因pn结(p:p型半导体,n:n型半导体)形成耗尽层产生电容。与电容相反,耗尽层起阻挡层的作用,只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此,为了减小二极管的电容,有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压(VBR),但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时,它们的组合电容减小。此外,二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容(Ct)ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺(EAP)制造,多个二极管组合在一起减小电容,不影响ESD抗扰度。
图3.5显示EAP配置中低电容ESD保护二极管电路图。它由三个二极管组成:低电容二极管1和二极管2(电容分别为C1和C2)和高电容二极管3(电容为C3)。二极管1和二极管2的pn结面积小,反向击穿电压(VBR)高,而二极管3的pn结面积大,并且有足够大的反向击穿电压(VBR)。加到阳极的ESD电流沿正向流过二极管1,加到阴极的ESD电流沿正向流过二极管2,然后反向流过二极管3,因为二极管3的VBR低于二极管1。通常,二极管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二极管1和二极管2的pn结面积较小,因此它们的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保护二极管配置如图3.5(a)所示时,ESD电流不会反向流过二极管1和二极管2。因此,这个电路整体上提高了ESD抗扰度。图3.5(b)显示这个ESD保护二极管的等效电容电路。低电容二极管2和高电容二极管3串联,可以减小组合电容。此外,由于该电路VBR由二极管3的VBR决定,因此可以根据被保护的信号线调整二极管3的VBR,从而提高ESD抗扰度。
粗略总电容与信号频率
根据信号频率选择ESD保护二极管时,可参考图3.6。
3-1(3) 信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样穿过接地(GND)电位)
考虑到要保护的信号线的极性,有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于仅正向摆动的未调制数字信号(例如,0V(逻辑低电平)与5V(逻辑高电平)之间),以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号,如下图所示。(单向和双向二极管均可用于电压仅为正或仅为负的信号。)
3-2(1)低动态电阻(RDYN)
在发生ESD冲击时,ESD电流同时流入ESD保护二极管和受保护器件(DUP)。这种情况下,减少流入受保护器件的电流(即增加分流到ESD保护二极管的电流)是十分重要的。
目前,ESD保护二极管数据表含有动态电阻(RDYN)。RDYN是反向导通模式下VF–IF曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。
从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。
3-2(2)低钳位电压(VC)和第一峰值电压
图3.10显示采用IEC 61000-4-2规定ESD波形时,高低钳位电压(VC)ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件(DUP)输入端。具有低VC 的ESD保护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高VC的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小,受保护器件(DUP)受到的损坏越小。因此,具有低VC的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外,一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此,如果ESD脉冲第一峰值电压高于ESD保护二极管的VC,则可能施加到受保护器件,造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外,东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构,进一步降低第一个峰值电压,从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。
3-2(3)ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理
单向和双向ESD保护二极管可吸收正负ESD脉冲。
图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理
选择正确的ESD保护二极管,请注意第3节介绍的主要电气特性。
1.保持被保护信号的质量
a)信号线电压
根据被保护信号线的最大电压,选择具有相应反向击穿电压(VBR)或工作峰值反向电压(VRWM)的ESD保护二极管。
b)信号极性
跨GND电平信号(如模拟信号),使用双向ESD保护二极管。
c)信号速度
根据被保护信号线的最大频率,选择总电容(CT)合适的的ESD保护二极管。
2.增强ESD保护性能
d)动态电阻
选择动态电阻(RDYN)尽可能低的ESD保护二极管。
e)钳位电压
根据所需VRWM选择最小钳位电压(VC)的ESD保护二极管。
务必选择VC低于受保护器件耐受电压的二极管。
3.ESD保护二极管ESD耐受性
f)IEC 61000-4-2
选择保证ESD性能高于系统ESD抗扰度要求的ESD保护二极管。
但请注意,ESD保护二极管的ESD性能通常与其总电容成正比。
g)IEC 61000-4-5
选择电气额定值高于峰值脉冲功率和峰值脉冲电流要求的ESD保护二极管。
不要将任何电路板走线与可能引入ESD脉冲的信号走线并行。特别是,避免ESD抗扰度低的器件电路板走线与可能受ESD事件影响的电路板走线并行。
绝对最大额定值
定义
ESD保护二极管最大额定值指最大允许电流、电压、功耗和其他电气特性。电路设计中,为了获得ESD保护二极管最佳性能并且保持器件目标工作寿命周期的可靠性,了解最大额定值至关重要。为保证ESD保护二极管使用寿命和可靠性,不得超过最大额定值。ESD保护二极管根据绝对最大额定值机制定义最大额定值。绝对最大额定值指任何条件下,即使瞬间也不得超过的最高值。如果施加的应力超过规定的额定值,器件可能会永久损坏。不得超过任何绝对最大额定值。因此,应注意电源电压波动、电子器件电气特性变化、电路调整过程中应力可能高于最大额定值、环境温度变化、输入信号波动等情况。应考虑的主要额定值包括ESD保护二极管的ESD容限、峰值脉冲功率、结温和存储温度。这些参数相互关联,不能单独考虑。它们还取决于外部电路条件。尽管绝对最大额定值通常规定的环境温度(Ta)为25°C,但有些规定参数温度条件不同。
静电放电电压(IEC 61000-4-2)(接触),VESD
指接触放电ESD容限,即通过与受保护器件直接接触放电。ESD容限是根据国际电工委员会(IEC)IEC 61000-4-2标准规定的方法和ESD波形测量的。规定的VESD值是测试波形的峰值。
静电放电电压(IEC 61000-4-2)(空气),VESD
指空气放电ESD容限,即被测器件(EUT)与放电枪之间通过空气层放电。IEC 61000-4-2规定了试验方法和ESD波形。
峰值脉冲功率(tp=8/20μs),PPK
PPK是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的最大浪涌功率。图6.1显示使用8/20μs脉冲波形测量的峰值脉冲功率。(8/20μs表示波形上升到100%需要8μs,从100%下降到50%需要20μs。)
峰值脉冲电流(tp = 8/20μs),IPP
IPP是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的峰值脉冲电流。
图6.1显示使用IEC 61000-4-5规定测试波形测量的峰值脉冲电流。
结温,Tj
Tj是ESD保护二极管可以不劣化或自损坏的情况下工作的最高结温。
存储温度,Tstg
Tstg是ESD保护二极管不加电压的情况下可以存储和运输的环境温度范围。
电气特性
工作峰值反向电压,VRWM
电压低于工作峰值反向电压时,ESD保护二极管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向电压,也只有小于规定漏电流的电流流过。)设计师可以用这个参数作为指导,确保其高于被保护信号线的最大工作电压。
总电容,Ct
CT是在指定反向电压和频率下施加小信号时,二极管端子上的等效电容。总电容是二极管的结电容与其封装的寄生电容之和。结电容随反向电压的增加而减少。
动态电阻,RDYN
动态电阻是指ESD保护二极管随着反向电压的增加反向击穿时,VBR与VC之间VF–IF 曲线的电流斜率。下面描述的动态电阻和钳位电压表示ESD保护二极管的ESD性能。
反向击穿电压,VBR
反向击穿电压是ESD保护二极管在规定条件下(通常定义为1mA,尽管因器件而异)开始传导规定量电流时的电压。VBR最初是为齐纳二极管定义的参数。VBR定义为ESD保护二极管导通电压。
反向电流,IR
反向电流是ESD保护二极管在规定电压下反向偏置时,反向流动的漏电流。对于ESD保护二极管,IR按工作峰值反向电压(VRWM)定义。
钳位电压,VC
钳位电压是ESD保护二极管指定峰值脉冲电流条件下最大钳制电压。VC通常在多个峰值脉冲电流点测量。如第6节(图6.1)所示,峰值脉冲电流使用8/20μs波形。动态电阻和钳位电压代表ESD保护二极管的ESD性能。
图7.1 ESD保护二极管电压-电流曲线