SiC功率器件的H3TRB测试规范解析

大家好，我是电源漫谈,在SiC功率器件或者模块的可靠性测试中有一项H3TRB测试比较典型，今天我们来简要讨论一下。

图1 典型功率模块的IDSS漏电流指标  

在一般的规格书电气特性中，我们可以看到会标识功率模块的漏电流参数值，以MSCSM120AM16CT1AG这个1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半桥模块来说，其漏电流为如图1所示，这个1200V可以看出IDSS这个漏电流参数，在1200V漏极电压反偏下，门级电压为0V,典型值为20uA，最大值200uA。  

H3TRB, 具体含义是High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias，即高压高温高湿反偏测试，这项测试是测试功率器件在此恶略严酷环境下的使用的可靠性，对于功率模块而言，在其内部会使用硅胶作为绝缘材料，硅胶在潮湿环境下容易吸湿，在无法做到完全密封的模块条件下，随着时间的推移，这将导致功率模块的绝缘性能受损，继而在电路运行中发生故障。  

图2 H3TRB测试典型规范  

测试SiC MOSFET的H3HTRB测试和Si MOSFET测试区别主要是施加的漏极电压或者反向电压不同，一般测试Si 器件的反向电压较低，而SiC MOSFET的施加电压却达到0.8倍的额定电压，更为严苛，根据上述典型的测试规范，在高温高湿条件下，施加0.8倍的额定电压下，门级施加0V电压，测试1000小时以上，漏电流没有明显变大以证明其可靠性。  

参考资料: 部分资料整理自网络。

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