Corner的分类
Corner可以分为对晶体管的偏差建模的PVT corner，以及对互联线偏差建模的RC Corner。
PVT Corner用于描述晶体管的全局工艺偏差。RC Corner 用于描述互联线工艺偏差。
PVT corner
PVT corner需要覆盖全局工艺偏差，温度偏差以及电压偏差。
process corner
Lot 与 Lot 之间, Wafer Wafer之间, Die 和 Die之间的工艺的偏差都是全局工艺偏差。全局工艺偏差的差别远大于局部工艺偏差的影响（local process variation）。由于全局工艺偏差的存在，导致CMOS的速度有的快，有的慢。从而导致芯片有快有慢。
Process corner被用于对全局工艺偏差进行建模。
由于全局工艺偏差对CMOS中NMOS， PMOS的影响有所不同，因此按照晶体管的速度，可以分为以下五种process corner：
TT：Nominal SS：Slow N Slow P FF：Fast N Fast P SF：Slow N Fast P FS：Fast N Slow P
其中常用于进行时序签收的corner为SS FF。
比较先进工艺中，foundary会提供排除local process variation的spice model，即SSG FFG等。
voltage corner
晶体管的速度随着电压的升高而提高。因此，时序签收时需要考虑极限电压的情况，以保证芯片在整个电压范围能够正常工作。
temprature corner
温度会影响晶体管的速度。时序签收时，需要能够保证芯片在设计的整个温度范围能够正常工作。由于结温与环境温度的差异，需保留足够的设计余量。
RC Corner
工艺与温度会对芯片内部的互联线以及via的电阻，电容造成影响。RC Corner用于对互联线的偏差进行建模。
常用的RC Corner：Typical Cbest Cworst RCbest RCworst
由于温度对于互联线以及通孔的RC有影响，因此RC Corner也需要考虑到温度的影响。
时序签收所用的Corner示例
电压范围：0.72 ~ 0.88温度范围：-40C ~ 125C
待续
注：若使用的包含有局部工艺偏差的时序库，则在ocv设置中无需再考虑局部工艺偏差。设计余量的大小需根据实际工作的温度，电压的变化谨慎评估。
