DCDC的开关节点SW能打孔吗？
上篇《DCDC的Layout终极奥义》中，我举的BUCK的例子，给出了我自己的布局走线方式。
然后有两位兄弟留言说，他们会将Buck输入滤波电容按照最近的方式放置，开关节点SW打孔走出去，也就是下面这两种方式的右边那种。
这两种方式最大的区别就是SW的处理不一样，我之前也有想过，不过我无法确定哪种方式更好，因为各有优劣势，我不是很清楚影响有多大。
下面说下我的一些想法。
关于要让Buck的输入环路最小这一点，大家也都是同意的，问题就在于要不要做到极致？
留言的两位兄弟倾向于做到极致，那么就是输入滤波电容直接跨接到Vin和GND上，然后开关节点SW打孔换层，然后再打孔回来。这样的好处是做到了输入环路最小了，坏处是顶层SW打孔换层，然后再打孔换回顶层。
那么SW到底要不要打孔呢？或者能不能打孔呢？
首先我们要明白为什么有这个问题存在？或者说考虑了哪些方面才会觉得SW打孔不好？
它存在的原因，是因为开关节点SW的电压是矩形波，在开关切换的时候，dV/dt很大，有很多的高频谐波分量，所以容易引起EMI问题。
但是如何引起EMI问题，我一直是不太明白。
怎么说呢？关于EMI，我们估计都有听说这么一句话：
dI/dt或者dV/dt很大的时候，会意味着存在很多的高频分量，很容易引起EMI问题。
dI/dt很大导致EMI问题，这个相对来说好理解一点。电流会产生磁场，那么在这个环内产生的磁场会随电流变化而变化，dI/dt越大，那么环内的磁场也会剧烈变化，磁生电，电生磁，就形成电磁辐射了，这个辐射也叫做差模辐射，这种无意中形成的环形的辐射装置可以看成是环路天线。
我前面说我不太明白，就是我无法像电流环辐射那样，让dV/dt在脑子里面构成一幅辐射的图景。
不过就在上次我发了文章之后，也有一个兄弟在留言区推荐了MPS的一个视频。名称叫“MPS汽车电子中DCDC芯片的EMI设计”。
B站网址是这个（清晰度更高）：
https://www.bilibili.com/video/BV1k64y1D76C
MPS官网也有（可以下载课件）：
https://www.monolithicpower.cn/cn/support/videos/webinar-20200320-dcdc-emi.html
视频确实很不错，举了很多例子，兄弟们可以看看。
视频里面有下面这一张图：
这个图给了我启发：这个SW节点Layout一般是一块铜皮，与其它的导体（比如长的金属导体，或者是线缆—比如电源线）形成寄生电容，也就是说这个SW快速变化的电压会耦合到这些线材或是导体上面。
当然了，也会耦合到其它地方，只不过线缆一般比较长，是一个很好的天线，这种辐射一般叫共模辐射，最终它在我脑子里面大致是这样的。
这有什么用呢？
我们要减少辐射，那么就要减小SW的面积，这样SW与线缆之间的寄生电容就更小，耦合到线缆的噪声电压也就越小了，因此可以降低辐射。从这个角度来说，Layout我们尽量减小SW的面积。
当然，另一方面，SW节点也是要流过大电流的，过流能力是必须要保证的，走线不能太细。
总的来说，就是要减小不必要的SW的铜皮，比如下图，右边这个铺铜就不好。
回到SW打孔的问题，SW打孔走线，必然比直接连接电感有更大的面积，也就是会增加共模辐射的风险。
这里还有一点值得说明下，有人会认为：SW打过孔，会有寄生电感存在，这个不好。
其实这是没有关系的，很容易看出来，这个寄生电感是跟原本就有的功率电感是串联到一起的，那么这个过孔电感就可以合并到原来的功率电感里面，仅仅只是让原来的功率电感感量增大了一丢丢，这个自然没有什么影响。
或者用一个兄弟留言的话说：这个SW过孔就相当于是免费增大输出电感了。
总的来说，文章前面提到的2种Buck的Layout情况
SW不打孔，输入滤波电容稍微绕一下：输入环路没有做到最小，差模辐射会大些。
SW打孔，输入滤波电容最近：输入环路做到了最小，但是SW的面积必然会加大，共模辐射可能会大些。
至于具体用哪种，我觉得不用过多纠结，随便挑一个就行，本来就不一定超标，其它相关的注意事项注意了，一般也不会有问题。
以上就是我个人的理解，如果有不同意见或者是补充，可以留言指出。
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链接：
https://pan.baidu.com/s/1MoEraza2P0mHnlVQmXCmrg
提取码：
0iq9
工具很不错，谁用谁知道，哈哈哈！！
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