SiC功率半导体器件的优势及发展前景

由于碳化硅器件与硅器件相比，有更高的电流密度。在相同功率等级下，碳化硅功率模块的体积显著小于硅基IGBT模块。提高能源利用效率对许多厂商来说是令人头疼的难题。而碳化硅器件具有大幅提高设备的能源利用效率的特质。碳化硅功率模块与采用硅基IGBT的功率模块相比，可将开关损失降低85%。由于碳化硅器件的能量损耗只有硅器件的一半，发热量也只有硅器件的一半；另外，碳化硅器件还有非常优异高温稳定性，因此，散热处理也更加容易进行，散热器可以显著减小，基于上述原因，SiC器件也被美寓为“重环保时代的关键元件”。SiC功率半导体已成为节能、高效、环保的代名词。