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瞬态热测试实验设计要点解读(三) ——功率循环实验的参数与环境设计

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功率、热循环实验是IGBT模块寿命评估的主要依据。功率循环(PC)实验就是让芯片在onoff之间不断切换,从而产生间隙发热功率,芯片的温度因此而周期性变化。因为热源为芯片自身,行业也叫做主动功率循环。

功率循环实验的主要设备也叫功率循环设备,随着技术的不断发展,行业对功率循环设备的要求主要有以下几点:1

1瞬态热测试

  • 符合JEDEC 51-1、JEDEC 51-14热测试规范(静态法)

  • 可测试各类功率器件(IGBT、Diode、MOSFET),获得热瞬态响应曲线

  • 对器件结温测量达到0.01°C的超高精度

  • 最大1MHz的多段变速数据采集

2、功率循环测试

  • 有机整合温度循环测试与瞬态热测试,在温度循环的同时对结构变化进行实时监测,支持在温度循环过程中持续试验而不用取出样品做热参数检测

  • 可以同时实施多种不同的电流策略,即多种循环模式

为了能监控器件在测试过程中的降级过程,功率循环设备必须支持瞬态热测试功能。而因为当设备对器件做功率循环时,设备自身也在做功率循环,所以在设备运行时,需严格限制设备核心部件的实时温度,以获得设备自身的高可靠性,耐久性,也保证了测试数据的准确性。

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 IGBT模块内部有多种材料,其中Bond wireDie AttachDBC等材料的热膨胀系数是不一致的,在功率循环过程中,层与层之间会产生交变的剪切力而导致材料疲劳,从而导致器件本身性能降级。损伤的结果主要是Bond wire脱落,断裂,Die Attach老化和焊接层老化。而IEC60747-9规定了IGBT参数的失效阈值,对于功率循环,器件的导通压降增幅大于5%,或者器件的热阻增幅大于20%,即判定为失效。

不同的检测目的,功率循环的实验设计也是不一样的。

Bond wire的故障的主要原因是引线过热,大电流通过引线,导致引线的温度剧烈变化,测试参数及设计如下图:

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两个测试回路可以清晰的看到,CH2上的电压没有太大的变化,而CH1上的电压发生了跃迁,从测试回路上分析,可以认为是引线总体的等效电阻增大了,也就是引线部分发生了质量问题,当这个值超过5%,即为失效。

Die Attach的失效检测方案,在参数设计上要保证主要温度变化发生在Die上面,提高电压,同时降低电流。

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下图是Die Attach循环实验案例,总循环次数是105000次,通过结构函数分析,整个实验过程中,其他的材料降级并不明显,Die Attach材料在20000之前也没有太大的变化,而25000次以后,Die Attach材料的降级速度加快,器件很快就失效了。整个实验过程中,实验样品没有离开过循环工位,老化,瞬态热测试一次完成,系统实时监控器件的降级过程,一方面减小了不必要的误差来源,同时也可以得到准确的器件失效参数。

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而焊接层的老化原因主要是环境温度的变化引起的,实验设计中要降低功率循环对引线和Die Attach的影响。

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通过改变环境温度的功率循环结果数据,通过结构函数分析,可以清楚的看到,在Die Attach以前的热阻变化并不明显,而对应焊接层材料的热阻有比较大的变化。

IGBT的实际应用中,这些故障大部分都是同时发生的,器件发生故障时,都会导致Vce上升,通过监控Vce是无法确定故障发生的具体 位置和相应权重。而如果使用结构函数的对系统降级过程及结果做分析,不仅可以正确判断故障模式,即使是很小的故障也不会错过,同时结合模型校准,可以通过仿真得到故障发生时,器件内部的热流分布。

也就是说,我们不仅能得到准确的测试结果,还能分析这些测试结果背后的物理意义,当我们回到设计中时,这些赋予物理意义的测试结果可以帮我们定位设计的问题,并依此形成高针对性的新设计方案。

虽然功率循环实验已经被业界广泛使用,而在业界大部分的实验设计中,对环境温度的监控并没有得到足够的重视。

由于功率循环中,器件的实时功率都比较大,需要控制环境温度设备提供比较大的散热功率,厂务水散热因此也被广泛应用。厂务水的温度相对恒定,通常是17-22°C之间,但这个温度不精确。假定我们做一个ΔT100°C的功率循环实验,而17-117°C22-122°C这两种实验的数据结果,其包含的物理意义肯定是不一样的。如果不使用厂务水而使用温控设备,其一,能控制高精度的温度同时也要保证散热能力的液冷设备也比较昂贵,其二,这种设备的温度监控点通常是设备中液体的温度,液体通过导管流入到冷板,再从冷板流回设备控温,冷板的实际温度和设备中液体的温度也存在温度差,这些都有可能导致最后实验的数据不准确,不可重复,不可信。为了减小这个误差,通常我们需要通过实验设计对环境温度做精准控制。

主要的控制环境温度的办法有几种:

  • 通过温度传感器去监控各个重要位置的温度,比如进出水口,冷板边缘,冷板中心,器件的正下方等等;

  • 用高精度控温设备去控制,并考虑回路能量损失做适当补偿;

  • TEC作为冷板,精准控制环境温度;

  • 通过定制夹具,保证环境温度的稳定性;

  • 多种方法的结合。

目前并没有一个明确的标准,具体实验设计要根据实际情况,结合工程师的经验,确定最终的可行方案。

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电子器件的封装老化遵循浴盆曲线,功率循环实验不仅可以应用在IGBT、二极管、Mos等器件上,也可以应用大功率的LED或者激光的芯片的产品筛选和寿命评估上。对于LED芯片,先要通过老化,让产品迅速通过早期失效期,从而筛选出质量合格的产品。

业界对于发光半导体的功率循环大部分还是被动循环,通过高低温冲击看器件的降级和稳定性,因为无法实时监控结温,现在的老化测试主要目的还是作为检测标准。而如果结合这种主动的功率循环,不仅可以发现问题,还能帮助分析问题的原因,从而从研发端去解决这些问题,从而不断积累技术和模型,提供 产品的整体性能。

超链接:

瞬态热测试实验设计要点解读(二)——实验参数选择和K系数的标定

瞬态热测试实验设计要点解读(一)——高频采集加热区结电压的意义

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首次发布时间:2022-05-29
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