How to use S parameter model in HFSS

本文摘要（由AI生成）：

本文介绍了ANSYS HFSS R19.2中新增的N端口电路元件/S参数模型功能。该功能允许用户创建使用集总端口的电路元件，并在HFSS项目中将其转换回集总端口。在HFSS中创建N端口电路元件之前，必须先创建集总端口，两者可以互换。集总端口的一个边缘必须与参考平面接触，否则在该电路元件处会有很强的反射，仿真出来的回损会比较差。导入的S参数必须满足无源性，否则仿真出来的曲线会非常混乱。无源性可以在HFSS网络数据浏览器中查看，所有频点的passivity小于1.0001才算满足。不支持快速扫频模式。最后，以常见的DC blocking capacitor为例，介绍了如何在HFSS中创建N端口电路元件。

What’s New in ANSYS HFSS R19.2？

. N-port circuit element/S-parameter model

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一些help说明：

1、HFSS supports the creation of circuit elements using lumped ports in both driven modal and terminal solution types. You can alsoconvert Circuit Elements back to lump ports in the HFSS project.

(在HFSS中建立N-port circuit element必须先建立lumped port，两者可以互换，不是随便画一个小矩形做一个lumped port就可以的，这个lumped port的一个边缘必须跟reference plane相接触，不然在该circuit element处会有很强的反射，仿真出来的return loss会比较差）。

2、两个注意事项：导入的S参数必须满足无源性，因此要先在软件中check下无源性，不满足无源性的S参数仿真出来的曲线是非常乱的；不支持快速扫频模式。

**Only passive S-parameter model is supported.

** Fast sweep is not supported.

3、无源性在hfss network data explorer中可以查看，所有频点的passivity小于1.0001才算满足。

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以常见的DC blocking capacitor为例。

a、直接在电容的两个pad之间建立lumped port是不正确的，此时只能建立2个single-port model；

b、正确的做法是先建立4个对地的lumped port，跟通常建立port的方法一样，然后create multi-terminal model，由于导入的电容是s2p file，因此需要操作两次create multi-terminal model。

大家可以自行去对比a和b两种设置的仿真结果！！

还有个注意事项，导入S参数的fmax通常没有我们期望的那么高，超出fmax之外的频点，软件会自动插值导致仿真结果不准，因此请注意下扫频范围的设置。

more details please refer to help “21 - Circuit Elements in HFSS"

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