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绝缘栅双极晶体管(IGBT)详解

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IGBT—— Insulated Gate Bipolar Transistor         

近年来出现了许多新型复合器件,它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身,扬长避短,使其特性更加优越,具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点,因而发展很快.应用很广,已成为当前电力半导体器件发展的重要方向。        

其中尤以绝缘栅双极晶体管(1GBT)最为突出,在各个领域中有取代前述全控型器件的趋势。



来源:电力电子技术与新能源
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首次发布时间:2024-07-07
最近编辑:3月前
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