专攻微波部件设计仿真，雷击，esd，pcb电源信号完整性，天线布局等仿真，ansys电磁软件基础培训

①仿真平行双导线，频率13.56MHz，激励功率200W，导体间距20mm，长度1400mm，导体直径5mm。射频信号是通过同轴端口馈入的，同轴内导体连接导体一，外导体与导体二相连，中间通过盒体进行转射频信号是通过同轴端口馈入的，同轴内导体连接导体一，外导体与导体二相连，中间通过转接盒进行转接，想单独仿真双导体周围的电磁场分布，激励端口应该如何设置呢？ ②在这个频段，对应这个长度，由于终端是开路的，应该如何考虑由于驻波效应引起的导体长度方向的功率或电压不一致性？这是不是涉及到场路协同仿真的概念，能否提供相关的案例参考！ ③双导体传输线是用来激发等离子体的，hfss可以进行射频场与等离子体的耦合仿真吗？

目前已经分析出s参数，SNP文件，自己通过circuit连接电路分析串扰，但是不对，需求正确的电路连接方式，完成串扰分析

测试项目：Differential Near End Crosstalk between SS Pairs of Mated Cable Assembly 测试要求：Must not exceed the limit defined below: USB 3.1 Standard‐A connector: 0.9% 测试结果：要怎么查看？ 目前已经仿真出高频的S参数所有数据，但是此项时域的串扰不知道怎么查看？

12.5Gbps高速串行交流耦合信号，提取s参数。想通过HFSS优化交流耦合电容反焊盘尺寸，和过孔反焊盘尺寸。用SIWAVE提取s参数，FPGA扇出过孔区域和交流耦合电容的挖空区域设置了HFSS仿真。仿真总是报错，不知道如何处理。 有关叠层设置、过孔设置、端口设置也有一些问题想要咨询。

如图1是电力电子 多管并联 半桥 电路图，其对应的PCB 3D图如图2，图3是各层PCB版图，图4是对应的实物图。 从图1中可以看出，各块铺铜都包含多个电流流入和多个电流流出点（比如说对于紫色圈出的VDD那一块铺铜，多个电容的正极和P7都可以看成电流流入点，而上半桥四个开关管的Pin Drains都可以看成电流流出点；又比如蓝色圈出的包含P12的那块铺铜，上半桥四个开关管的Pin Sources可以看成电流流入点，而上半桥四个开关管的Pin Drains都可以看成电流流出点），希望能提取出各块铺铜上各支路的等效RLGC寄生参数（同时应该考虑到各块铺铜之间产生的耦合效应） 1. 用什么软件可以实现这个需求？大致步骤是什么？ 2. 所需的理论基础有哪些？这方面寄生参数提取的理论能否给些推荐的参考书籍或论文 3. 在提取过程中有哪些需要注意的要点？ 谢谢！