AAM通过直接油冷却和散热器几何结构优化来实现离散SiC MOSFET的优化

本文重点概述：

• 直接油冷技术能够通过散热器几何结构的优化，实现离散SiC MOSFET的优化。
• 离散SiC MOSFET的优势包括更高的功率密度，更快的设备开关速度，增强的热性能，更高的开关频率以及改善的效率。
• 在模块冷却中，传统的水-乙二醇(WEG)冷却方式存在最大温度限制，而直接油冷技术可以提供更低的热阻，从而提高SiC的利用率。
• 油冷技术在离散设备中的应用，可以通过去除死区热阻来降低热阻，从而实现更高的功耗和电流。
• 对比WEG和油冷技术，油冷技术在单位面积SiC的利用上更高，允许使用更多的SiC材料以增加功率密度。
• 高效的油冷系统设计对于最大化SiC的利用率至关重要，包括选择合适的油介质，优化流道设计，以及采用高效的换热器。

直接油冷却技术和优化的散热器设计能够有效地提高离散SiC MOSFET在电力电子设备中的利用率，从而在保持或降低系统成本的同时提升设备的性能。通过消除绝缘层，油冷方式显著降低了散热器的热阻，使得更高的转换效率和功率密度成为可能。相比传统的水-乙二醇冷却方式，油冷方案展示了至少23%的SiC利用优势，为高性能电力电子设备的设计提供了新的优化方向。