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《Mechanics of Solid Polymers》2.3.3-4.1V 型缺口剪切试验

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2.3.3 V 型缺口剪切试验


        V 型缺口剪切是另一种常用的实验方法,用于检验聚合物的多轴应力和应变响应。V 型缺口剪切是一种很有吸引力的方法,因为它主要探测剪切行为,并且不会受到摩擦引起的不确定性影响。这种实验方法也称为 Losipescu 剪切,并在 ASTM D5379 [30] 中进行了描述。剪切夹具的照片如图 2.52 所示。V 型缺口试样的应力场可以通过有限元 (FE) 研究进行检验。图 2.53 显示了一个例子,其中试样使用 TN 模型进行建模,该模型的材料参数适用于超高分子量聚乙烯 (UHMWPE)。

图 2.52 V 型缺口剪切夹具的照片

图2.53 有限元分析V 型缺口剪切试验中剪切应变云图


2.4 表面特征表征技术

        有很多种技术可用来对表面特征进行表征的技术,包括聚合物表面拓扑、结构、化学特性等。下面介绍一些最重要也最常用的表征手段。

2.4.1光学显微镜

        光学显微镜被设计用来观察微小的物体。光学显微镜通常可用来执行三项任务:创建样品的放大图像,区分图像的不同细节,并使最终图像对人眼或相机可见。这类表征仪器包括从简单的放大镜到先进的多透镜显微镜。

        根据光线投射到样品上的方式,光学显微镜可以以两种基本方式操作。第一种方法是广泛用于研究生物聚合物的,即制备非常薄的样品,并让光线穿过样品。第二种方法用于较厚的截面样品和不透明材料。在这里,光线穿过物镜,然后从样品的表面反射到显微镜物镜中。这两种技术被称为透射光显微镜和反射光显微镜。

        光学显微镜的分辨率极限受衍射控制,而衍射又受光学系统数值孔径和所用光波长的控制。假设光学像差可以忽略不计,则分辨率(d)由以下公式给出:

     (2.12)

假设A = 550nm(对应绿光),以及AN = 1.5(对应介质为油),最大分辨率约为0.3μm。光学显微镜的一个主要缺点是这种相对较大的分辨率限制。光学显微镜的另一个限制是当光通过非常薄的样本或反射度很高的表面时产生的对比度较差。为了改善光学显微镜的对比度,开发了不同的光学技术。其中一些更重要和常用的技术包括:偏振光、相位对比成像、差分干涉对比、荧光照明、暗场照明、莱茵伯格照明、霍夫曼调制对比,以及使用各种明胶光学滤波器。以下简要讨论了其中一些技术。关于这些以及其他光学显微技术的更详细讨论,请参见[31, 32]。

偏光显微镜法:该技术利用光学各向异性来揭示样品的结构。显微镜配备了偏光片和分析器。增强的对比度来自于偏振光与具有双折射性质的样品的相互作用,形成两个垂直光学波。由于与样品的相互作用,两个波的速度不同,导致两个波不同相位。光成分在通过分析器时结合干涉。这种技术可以提高最终图像的对比度和质量。

暗场显微镜 :通过使用专门的斜射照明,可以改善通常无法使用明场照明很好地捕捉到的样本的对比度。在光学设备中,通过凝聚器中的不透明块阻止直射光,但通过样本的所有方位的斜角光线会反射、折射和衍射到显微镜物镜中,从而产生具有暗背景的高对比度图像。

差分干涉对比显微镜:差分干涉对比显微镜是一种光束剪切干涉系统,其中参考光束被微小剪切了一小部分。该技术创建了一幅阴影投射图像,从而增加了样本中高低空间频率的光学路径梯度的对比度。

共焦显微镜: 共焦显微镜是一种新颖的技术,具有控制景深的能力,并从厚样本中收集连续光学的能力。该方法是利用空间滤波来去除失焦光。该技术可用于创建非常高质量的图像,并已成为光学显微镜的重要工具。

近场扫描光学显微镜: 近场扫描光学显微镜(NSOM)可用于创建超高的光学分辨率。为了获得高分辨率,一个亚微米级的光学探针,放置在样品非常接近的位置,通过一个小孔传输光。从样品表面到单个波长内的区域被定义为近场。在这个区域内,短程光不受衍射限制,可以获得纳米级的分辨率。

• 荧光显微镜:荧光显微镜主要采用顶置照明,在遗传学和细胞生物学领域迅速成为标准工具。

• 立体显微镜:立体显微镜与传统显微镜设计不同。它使用两个目镜(或有时使用两台 完整的显微镜),为左右眼提供稍微不同的观察角度。这产生了被检查样品的三维可视化效果。立体显微镜通常用于研究固体聚合物表面或调查断裂表面



来源:ABAQUS仿真世界
断裂化学光学材料控制试验
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首次发布时间:2024-05-19
最近编辑:7月前
yunduan082
硕士 | 仿真主任工程... Abaqus仿真世界
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Abaqus中沙漏控制与剪切自锁

在 ABAQUS 中选择正确的有限单元类型对于生成精确且值得信赖的结果至关重要。然而,由于 Abaqus 有大量的单元公式,使用正确的单元类型有时会很困难。传统的手工计算和 FEA 预测有时可能会矛盾,因为许多分析师不知道特定单元类型的限制,例如实体单元(剪切锁定)。 剪切锁定 当单元受到纯弯曲时,由于一阶单元的线性性质,剪切锁定是有限元分析中常出现的错误。线性单元不能准确地捕获弯曲下单元中存在的曲率,并且会引入剪切应力。单元中的附加剪应力(在实际梁中不会出现)导致单元以较小的位移达到平衡,即,它使单元看起来比实际更硬,并且弯曲位移低于应有的值。 为了可视化,绘制了穿过积分点的虚线,可以看到上面的线由于纯弯曲载荷而增加(张力),而下面的线则受到压缩(长度减小)。表明沿 X-X 方向 (σ11) 的直接应力本质上是拉伸应力,而下侧的直接应力表示本质上是压缩应力,尽管我们没有看到垂直虚线有任何变化沿 Y-Y(σ22)。 因此,可以说沿 Y-Y (σ22) 没有引起应力,这意味着所有积分点处的应力为零。从图中可以清楚地看到,水平线和垂直线之间的角度最初为90°,但在施加纯弯曲载荷后,角度发生了一定程度的变化,这表明存在一定的剪应力,但在实际纯弯曲中当任何梁受到纯弯曲时,不存在剪应力。对于每个面上有 4 个积分点的完全积分单元(考虑四边形 4),会出现此问题。为了最大限度地减少剪切锁定效应,我们应该使用在中心有一个积分点的缩减积分单元。 尽管减少集成元件有利于消除剪切锁定效应。但它们也面临着沙漏效应的问题(物理场景中不会出现的奇怪变形,但仅出现在有限元分析中) 沙漏效应 实际物理场景中不会出现的奇怪变形,但在有限元分析中可能出现。为了最大限度地减少奇怪的变形或扭曲,我们需要添加某种人工干预来防止扭曲。Abaqus CAE 有不同类型的沙漏控制,如下图所示:失真控制=是 沙漏控制=增强 几何阶=线性(一阶) 缩减积分=是 以上所有控件仅适用于单元类型C3D8R(带有沙漏控件的8节点线性实体单元)下面是尚未实现沙漏控制的图像,我突出显示了受沙漏影响的单元变形。 为了控制缩减积分单元中的沙漏效应,我们需要使用单元类型中可用的沙漏控制,这只不过是基于刚度的扭曲控制(增加元素级别刚度)。来源:ABAQUS仿真世界

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