ANSYS在SiC器件制造和封装中的应用
本公众 号作者杨超繁作为特邀嘉宾参加了Ansys多物理域仿真平台助力功率模块跨入新赛道研讨会,并在会上做了《ANSYS在SiC器件制造和封装中的应用》演讲,以下是研讨会分享全文:SiC是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。其禁带宽度更宽,耐高温特性更强,开关频率更高,损耗更低,稳定性更好,被广泛应用于替代硅基材料或硅基材料难以适应的应用场合。SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件,按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅同质外延层,得到碳化硅外延片后进一步加工制成,品种包括SBD、MOSFET、IGBT等,主要用于电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通等领域。
半绝缘型碳化硅基射频器件是通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片后进一步制成,包括HEMT等氮化镓射频器件,主要面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。