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使用Ansys Maxwell对感应电机堵转和起动过程仿真

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堵转仿真


(1)感应电机堵转仿真

● 感应电机的堵转仿真用于计算其堵转转矩和堵转电流,校核电机起动性能

● 堵转仿真设置

- 转速设置为0

- 设置三相电压源


● 堵转仿真目的和方法

- 目的1:计算起动瞬间最大电流

- 方法:常规瞬态仿真1个同步周期

     


- 目的2:计算稳态堵转电流、短路阻抗(短路试验)

- 方法1:开启Fast Reach和Auto Detect功能,常规瞬态仿真直到接近收敛,一般需要几十个同步周期(支持铁损对场的影响)

- 方法2:采用周期性TDM自动收敛,只需一个或半个同步周期直接达到稳态(不支持铁损对场的影响)


(2)TDM设置

● 使用TDM需要进行两处设置

- HPC设置

- TDM设置

   


(3) HPC设置

● 设置方法

- 勾选Use Automatic Settings

- Num variations distribute → 设置TDM并行扫参数

- Cores→ 设置调用的核心数,最大可设置为逻辑处理器核心数


● 推荐设置

   

- 协调Timesteps和Cores

- 使Timesteps /(Cores-1)=整数

- 注意:由于Periodic TDM同时对所有时间步进行求解,因此必须确保可用内存大于每个时间步消耗内存*时间步数,并留20%左右余量


     

(4)TDM的两个选项

● GeneralTransient常规瞬态求解

- 支持任意的瞬态模型

- 这是最灵活的方法,支持涡流效应

- 可以同时使用快速达到稳定设置“fast reach steady state”


● Periodic周期性模型

- 直接达到瞬态稳定状态

- 如果求解是周期性的,可以使用分布式任务求解一个完整的周期(而且只需要求解一个)

   


(5)周期/半周期TDM

● 周期TDM

设置仿真时间为一个或多个周期,软件只需计算一个周期,直接输出所有周期结果,并直接达到瞬态稳态,典型应用是同步电机的短路分析,感应电机堵转分析

     


● 半周期TDM

设置仿真时间为半个周期,软件只需计算半个周期,直接输出一个完整周期结果,典型应用是快速计算同步电机的稳态工况

     


(6)方法

● 方法一:常规瞬态仿真,单核计算单任务

   

- 仿真40个电周期后转矩趋于稳定,计算时间:3min48sec

   

● 方法二:使用周期TDM

   

- 只需仿真一个电周期,直接达到稳态,计算时间:0min57sec

   

● 方法三:使用半周期TDM

   

- 只需仿真半个电周期,软件自动给出稳定后一个完整电周期的结果,计算时间:0min21sec

   


(7)结论

利用周期性TDM功能可大幅降低感应电机堵转工况仿真时间,且精度可靠。

     
     


2. 起动过程仿真


(1)起动仿真设置

● 激活考虑机械瞬态功能

- 初始速度:从0rpm开始起动

- 转动惯量:RMxprt根据转子质量和直径自动计算

- 阻尼系数:(机械损耗+铁损)/角速度的平方,RMxprt

- 可自动计算

- 负载转矩

     
     

if(speed<121.453,-0.482522*speed,-7117.64/speed)

Speed:转速,弧度/秒

解释:当转速小于121.453时,负载转矩等于0.482522*speed(与转速成正比);当转速大于等于121.453时,负载转矩等于-7117.64/speed(恒功率负载,功率为7117.64W)


(2)求解并查看结果

● 转矩和转速

   

● 转矩和转速曲线

   

来源:笛佼科技
MaxwellHPCSTEPSUM电机试验FASTANSYS
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首次发布时间:2024-05-11
最近编辑:7月前
笛佼科技
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ANSYS电机驱动系统设计仿真解决方案

高性能电机设计,不仅仅需要考虑电机本体的精确设计,还需要考虑驱动/控制系统的精确设计,以及二者之间的相互集成、匹配问题和系统优化设计问题。因此,电机设计就需要将精确的电机本体模型和驱动电路、控制算法/代码集成起来,通过高精度系统建模和仿真,精确分析整个电机及驱动/控制系统性能。目录IGBT应用及封装设计IGBT特征化建模和开关特性测试IGBT寄生参数提取及系统性能分析IGBT电磁性能分析和传导路径优化IGBT多物理场耦合特性分析IGBT热模型提取及系统性能分析IGBT辐射干扰分析驱动/控制系统设计永磁同步电机降阶模型抽取永磁同步电机降阶模型原理ECE模型提取流程(永磁同步电机PMSM)IPM电机ECE模型抽取矢量控制算法仿真控制代码自动生成功能原理模块构成应用方案技术指标应用方案特点电驱动系统集成化设计电驱动系统EMI/EMC电驱动系统热设计以下内容截取自该篇资料IGBT特征化建模和开关特性测试IGBT应用及封装设计用户都会面临一个问题,即如何在设计阶段精确考虑IGBT开关特性对电机驱动电路及系统性能的影响。这就需要对IGBT进行精确建模,从而评估其对系统的影响。ANSYS解决方案可根据供货商提供的datasheet实现特征化IGBT精确建模(包含各种特征参数和特性曲线),并可一键生成IGBT的半桥测试电路和系统仿真模型,高效解决IGBT开关特性测试和系统性能分析问题。基于Simplorer的IGBT特征化电气、热特性建模Simplorer一键输出IGBT半桥测试电路IGBT寄生参数提取及系统性能分析IGBT封装设计和部分电机驱动系统设计用户都关注一个问题,那就是传导路径的寄生参数对IGBT开关特性和系统性能的影响,这就需要对IGBT封装进行三维建模,通过电磁场仿真,提取其寄生参数并集成到系统设计中。ANSYS解决方案可直接导入IGBT封装的CAD模型,自动进行模型处理、自适应网格剖分和传导网络辨识,并通过电磁场求解输出其原始或降价RLCG矩阵,通过动态链接集成到变流电路或系统设计中,精确分析其开关特性和传导干扰对系统性能的影响。基于Q3D的IGBT寄生参数提取Simplorer驱动电路设计(集成IGBT特征化模型,Q3D母排、IGBT寄生参数模型)永磁同步电机降阶模型原理将永磁同步电机的电流及转子位置角度进行扫描,在有限元里面进行分析计算,得到永磁电机的转矩跟磁链结果,将这些结果保存在一个数据表中,由于转矩跟磁通结果是经过有限元计算得到的,因此数据表的精度非常高。若将这个数据表放到控制系统仿真当中,则计算结果非常快,只需在里面查表就可得到电机的电磁性能。在Maxwell有限元场计算中,有限元模型对电流和转子位置角扫描,扫描后得到的有限元结果通过降阶模型保存在数据表中形成ECE模型,可将ECE模型直接在Simplorer(Twin-Builder)进行分析计算,也可以将ECE模型送到控制当中进行高级控制系统仿真。由于抽取的ECE结果是基于有限元计算得到的,因此ECE结果精度非常高,与有限元结果几乎一样。ECE与FEA结果对比ECE模型又称ROM降阶模型、状态空间模型,它是基于表格的电路模型,表格参数来源于预先的有限元计算结果。ECE模型可用于控制电路分析、系统分析(TwinBuilder/Simplorer)、HIL分析(ETAS,NI)。它具有模型计算速度快,精度高的优点。模型精度与扫描密度有关,ECE模型暂不支持涡流及磁滞模型。来源:笛佼科技

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