首页/文章/ 详情

爆炸即为艺术

6月前浏览2476

本文摘要:(由ai生成)

本文探讨了氢气的安全风险及泄爆模拟。通过案例展示了增加泄爆面可显著降低爆炸超压。计算结果显示,设置泄爆后的最高压力远低于封闭情况。文章还指出泄爆模拟边界处理的问题,并提出改进建议。此外,还分享了传爆药冲击起爆数值模拟的相关知识。总之,本文通过模拟展示了泄爆面的重要性,并讨论了相关数值模拟的技术细节,以提升氢气使用的安全性。


艺术是一种转瞬即逝华丽之美,如璀璨的烟火,在爆炸的瞬间迎来华美的高 潮。这不仅是迪达拉的爆炸艺术,也是所有艺术的通用释义。(注:迪达拉-《火影》晓组织一员)


最近机电君痴心爆炸仿真的学习,小小资料分享一下。

简单来说,操作上爆炸就是几个能量方程的写入以及材料模型的设置,最后还有网格的控制。计算时间不超过1ms,爆炸往往在µs级。

数值模拟是进行传爆药冲击起爆过程研究不可或缺的工具。运用软件研究各条件下传爆药冲击起爆及响应细节。

提示,各位道友参考网络参数时候一定要核对一下单位制,并且与软件协调,否则结果不一定,更有可能无法计算,机电君熬了几个通宵被网络上的资料整惨了,所以这里分享的参数也不保证一定可以用,参考需谨慎,结果不保证!


1 传爆药冲击起爆数值模拟反应速率及状态方程

在爆轰波的数值模拟中,选择不同的化学反应率函数,模拟计算出来的爆轰波的发展和传播结果是不同的。常用的有 Arrhenius反应速率方程、Forest Fire模型、Cochran反应速率方程、Lee-Tarver点火增长模型和巴塔洛娃反应速率方程。数值模拟的状态方程包括炸药的状态方程和爆轰产物的状态方程。炸药的状态方程常用HOM状态方程和JWL(Jones-Wilkins-Lee)状态方程。爆轰产物状态方程常用的Abel余容状态方程、Ⅱ-C方程、JWL状态方程和BKW状态方程。

分享模拟计算反应速率方程选择能够一定程度上反映凝聚炸药冲击起爆过程的Lee-Tarver点火增长模型,见式;炸药状态方程和爆轰产物状态方程均选择JWL 状态方程,见式。

Lee-Tarver点火增长模型如下式所示:

λ 是炸药反应度;t 是时间;ρ 是密度;ρ0 是初始密度;p 是压力;I、b、a、x、G、c、d、y、G、e、g、z 是与炸药有关的可调系数。

上式中的第一项,描述点火阶段。点火阶段热点的数量由参数I和x控制,a是炸药临界压缩度。第二项表示孤立热点的反应成长阶段,点火后热点早期的反应增长由G1和d控制。燃烧项压力系数y一般取1,燃耗阶数b和c一般均取为2/3,表示炸药颗粒向内的球形燃烧。第三项描述反应的快速完成阶段,高压下的反应速率由G2和z控制,常数G2可随入射冲击波的压力而改变,pz表示与压力相关的线性燃烧速率,该项认为控制生长过程的因素主要燃烧的压力效应。(不要偷懒,翻翻资料很容易找到这些参数的解释

JWL 状态方程如下式所示:

式中:A、B、R1、R2、ω为方程参数,可由圆筒试验进行标定;V为相对体积,E为炸药微元的初始内能。


2 施主药柱 RDX 标准输出试验的数值模拟

2.1RDX 标准输出试验装置有限元模型

建立的施主药柱RDX标准输出的试验装置有限元模型如图所示。装置中施主炸药为RDX(GB296-87),密度为1.463g/cm3,药柱总高度为 38.0mm,共分为7个药柱,单个药柱的尺寸为Φ5.0×5.43mm。施主药套筒外径为25.0mm,内径为5.0mm,高为38.0mm,装药壳体材料为45#钢;鉴定块材料为A3钢,在建模模拟时,为节省计算时间,钢鉴定块模型尺寸并未采用Φ110×50mm,由于底边和侧边要设定无反射边界条件,通过反复模拟计算Φ60×30mm 尺寸不影响计算结果,故作为鉴定块模型尺寸。由于模型的对称性,计算采用二分之一模型。计算模型采用中心点起爆方式,省去雷 管元件建模。

计算模型使用Lagrange 单元进行划分,炸药和壳体、鉴定块之间采用 Lagrange/Lagrange 单元之间的Self-interaction 算法,在壳体边界面上施加无反射边界条件,采用 cm-g-µs 建模。

有限元计算模型如图所示。

2.2 材料状态方程及参数

试验的施主炸药RDX密度为1.463g/cm3,采用工程经验公式计算可得输出爆轰压力约为20GPa,要获得其JWL状态方程需做大量圆筒试验确定各个参数,本分享未进行这方面工作。CompB炸药各相关参数,其在密度为 1.630g/cm3,Φ5×38mm 的药柱模型网格尺寸为0.1mm×0.1mm时,经模拟计算可获得爆轰输出压力约为20GPa。因该计算条件CompB 的爆轰输出压力与试验施主RDX药柱用工程经验公式计算得到的爆轰压力极为接近,故建模时采用密度为1.630g/cm3的CompB炸药JWL状态方程代替 RDX 作为主发药柱。此处需要说明,如果其它类已知参数的炸药,能满足符合试验所需输出约为 20GPa 爆轰压力的要求,亦可作为建模时施主炸药材料。当然,如果通过大量试验获得RDX 各状态参数进行模拟更为符合试验情况。

试验装置中,施主炸药的爆轰产物采用JWL状态方程,其形式见上文中分享方程。

CompB 炸药JWL状态方程参数见表所示。

利用Johnson-Cook(J-C)强度模型描述试验装置的钢套筒及鉴定块材料。Johnson-Cook(J-C)强度模型的具体形式为:

该模型能够很好描述金属材料在高应变率、高应变以及高温条件下的应力行为。A、B、n、C、m为材料参数静态屈服应变,应变硬化指数,应变率相关系数,应变硬化指数,温度相关系数。其他参数由于难打就自行翻阅参考文献吧。

45#钢材料Johnson-Cook强度模型参数

A3钢材料Johnson-Cook强度模型参数

由于Johnson-Cook强度模型本身只描述了偏应力和偏应变的塑性部分,在高应变率、大变形条件下,体积变形部分需要用状态方程来描述。常用的高压固体状态方程包括Bridgman方程、Murnagham方程和 Gruneisen方程。前两者分别描述了等温过程和等熵过程的P-V 关系,它们只是特定条件下的材料各参量间的相互关系。而Gruneisen方程是根据能量守恒定律在着眼于微观的统计力学和宏观的热力学之间建立联系,得到了压力与比容(即体积变形)的关系。它考虑了P,V和其他热力学参量间的关系,是高压条件下最常用的一种内能形式的固体状态方程。45#钢和 A3钢在爆炸冲击作用下实际近似一种绝热熵增的压缩过程,采用Gruneisen状态方程显然更为合理。该方程可表示为:

45#钢的Gruneisen状态方程参数

A3钢的Gruneisen状态方程参数

侵彻效果:

2.3 计算结果及分析

在施主药柱中下段的轴向每隔2mm设置1个Gauge观测点,共计9个 Gauge观测点,计算的观测点压力曲线如图 所示。从下图可知,有限元模型中施主药柱轴向爆轰压力约20GPa,与试验采用的密度为1.463g/cm3 的RDX实际输出压力相当,因此计算模型中可以选用密度为1.630g/cm3 的CompB炸药代替RDX药柱。

施主药柱爆轰压力曲线

下图是施主药柱引爆后不同时刻爆轰反应压力云图。施主药柱在t=0µs时刻被雷 管引爆,从图可知,当t=0.642µs时刻,施主炸药已被引爆,并发生反应,产生压力约17.6GPa的冲击波;当t=2.805µs时刻,爆轰反应前沿波已经接近药柱中部,此时爆轰压力约20GPa,且趋于稳定;当 t=5.005µs时刻,爆轰反应前沿波已经到达施主药柱底部,爆轰压力保持在20GPa左右,这与试验RDX施主药柱输出的爆轰压力接近,较为符合试验情况;当t=6.497µs时刻,施主药柱爆轰波已经进入钢鉴定块,此时爆轰压力约5.4GPa。

施主药柱爆轰反应压力云图

钢鉴定块凹坑形成及压力云图

施主药柱侵彻钢鉴定块的凹坑值变化曲线



源:机电君
ACT燃烧化学通用UG爆炸材料控制试验
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2024-04-21
最近编辑:6月前
ErNan.Chen🍃
硕士 | CAE工程师 即物而穷其理
获赞 29粉丝 37文章 59课程 0
点赞
收藏
作者推荐

基于 Ansys Maxwell 的气隙边缘效应对电感参数的影响

电感作为动态储能元件被广泛应用于电力电子电路中,在不同的电路工作模式下,电感可实现能量的可逆存储与释放。磁元件在存储与释放能量的过程中会伴随磁通的变化,产生磁芯损耗。开关电源设计中在输出侧设计滤波电感实现直流输出,电感电流始终沿同一方向变化,可能导致磁芯发生饱和,限制电感存储能量的能力。在磁芯中增加气隙能够增加磁阻,调整有效磁导率,并且实现磁芯在更大电流下的抗饱和性能。但当气隙过大,可能会导致磁芯窗口处的扩散磁通增加,引入电磁干扰的同时降低磁元件的工作效率。在电感的设计计算中,电感量大小受气隙边缘效应的影响明显。即使在设计中没有气隙,在实际制作样件过程中,可能由于制造公差而产生气隙,引起电感量的变化,因此有必要解析不同气隙下电感的变化范围以及磁场强度分布的影响。案例采用Ansys Maxwell仿真软件搭建了应用于Boost 电路的不同气隙长度与气隙结构的电感器模型,对电感模型进行仿真分析,结合理论计算结果分析电感气隙长度与布置对电感量与磁场强度分布的影响。1 不同气隙下电感参数计算图1 为带气隙的电感,根据法拉第电磁感应定律,当忽略绕组电阻时,总电感为:图 1 带气隙的电感2 仿真模型搭建2.1 电感模型建立基于Boost电路中的电感来研究气隙电感气隙长度与布置对电感量与磁场强度分布的影响,依照电感电流连续导通模式(CCM),电路电气参数如表1所示。 表1 电气参数根据电气参数,三维软件建立几何模型,如图2所示的磁芯结构,所用电感磁芯的结构类似与EI形状或EE形状(见图 3),两相绕组均匀对称缠绕在两个边柱上。电感磁芯设计是由磁芯截面积Ae(cm2)与窗口截面积Aw(cm^2)的乘积来确定,其中Ae= L*Imax/(N*Bm)。仿真采用具有不同气隙位置与长度的EE型或EI型磁芯作为分析对象进行有限元验证。磁芯材料选用具有高饱和磁通密度(1.5T)、直流偏置特性较为优异、温度稳定性好的铁硅粉芯材料,Maxwell仿真中添加材料的B-H 曲线与不同频率的损耗曲线,磁芯结构如图2所示。绕组设计采用 1.2mm×9mm扁平铜线,Maxwell仿真中采用相同宽度的绕组等效并添加绕组匝数,绕组材料设置为铜材。2.2 电感仿真模型建立优化电感模型气隙设计,下面将对不同开气隙结构的电感器模型进行 Maxwell仿真, 分析气隙长度与不同气隙结构对电感量、磁芯损耗以及磁感应强度分布等性质的影响,以优化选择磁芯结构。比较分析的磁芯结构包括气隙位于边柱的EI型磁芯、气隙位于边柱的EE型磁芯、气隙位于中、边柱的EI 型磁芯、气隙位于中、边柱的EE型磁芯,如图3所示。图 3 不同开气隙磁芯的电感器结构2.3 瞬态场仿真分析基于两相并联交错的Boost电路工作在CCM模式下,输入电压最低时的占空比为最大占空比,在此给定Vin=300V,根据伏秒平衡原则,电路中开关管的占空比D为:D= (Vout-Vin)/Vout=0.538。初步估算单路Boost电路需求的电感值为:L=253μH根据电感量与电感绕组匝数的关系式为:L=AL×N^2在没有气隙的情况下,单路绕组额定电流I= 133A,匝数 N=39Ts,AL为电感因数(nH/Ts2)。 此外,根据上式,在无气隙的情况下,电感量的计算值如下:L0=351μH。 添加气隙 lg=3mm,L3=216μH。为探究不同气隙位置对电感量与互感的影响,对不同电感模型进行参数化建模,以气隙长度lg作为变量,仿真得到不同开气隙结构的模型电感量随lg的变化曲线(如图 4 所示),激励绕组的电感量随lg的增加而逐渐降低。未添加气隙时磁芯感量为315.20μH,添加气隙后,磁路磁阻增加,磁路中产生漏磁,电感量有所降低。此外,气隙所处的位置对感量变化产生影响,在通入相同大小的电流时,相同绕组结构的EI磁芯的较EE磁芯具有更大的自感量,这表明在相同绕组设计时,采用开气隙结构的EI磁芯能够实现更大的电感,漏感更少。采用中、边柱开气隙的磁芯较仅在边柱开气隙的磁芯能够实现更大的互感值(图 5),表明更优的耦合效果,对于反向耦合电感,耦合系数越大,电感电流的纹波越小,这也将有利于降低开关管的损耗。但随着气隙增加,互感量逐渐降低,这表明在实际设计中需要合理评估气隙长度以平衡感量与后面磁场强度的关系。与采用公式计算的电感值相比,可以看出在无气隙以及气隙较小时, 仿真值与计算结果相接近,表明仿真结果具有一定的可参考性;在气隙长度稍大时,仿真结果较计算结果偏高。图 4 自感随气隙变化的散点图图 5 互感随气隙变化的散点图2.3.2 磁芯损耗分析从图6的磁芯损耗结果可以看到,EI型磁芯由于具有更大的电感,漏感较少,磁芯损耗较低,这表明边缘磁通降低有利于降低磁芯损耗。虽然中、边柱开气隙的EI磁芯耦合系数比中、 边柱开气隙的EE磁芯大,有利于减小电感纹波电流,但相应磁芯损耗明显要高,因此需要综合考量两个因素的影响以确定磁芯选型。图6 磁芯损耗随气隙变化的散点图2.3.3 磁芯工作磁通密度仿真分析图7为不同磁芯结构的磁通密度分布图,可以发现EE磁芯和EI磁芯在中柱的磁通密度要明显低于未添加气隙电感,这是由于其耦合效果,使得中柱铁心的磁通有所下降,有助于降低中柱的磁芯损耗,同时提高磁芯的抗磁通饱和能力。7 磁芯的磁通密度仿真结果(无气隙;EE 型;EI 型)图8为磁芯的磁通矢量图,可以看到未开气隙磁芯的磁路基本上均在磁芯内,耦合电感的磁力线基本上分布对称;对于开气隙结构的磁芯,在气隙位置有明显的磁力线向外扩散, 漏磁的现象,并且EE磁芯效果更为显著, 表明其扩散的磁场要比EI磁芯大,具有更大的扩散磁通。扩散磁通可能会产生电磁干扰的同时,由于其增加周围绕组结构的涡流损耗,影响电感效率。图 8 磁芯的磁通矢量图(无气隙;EE 型;EI 型)图9分别为无气隙与气隙位于中、 柱EI和EE磁芯的磁通密度仿真结果,可以看出,EE型、I型磁芯与未添加气隙的磁芯相比较,在气隙添加位置处的磁通密度要明显减小,并且在中柱位置,EE型磁芯气隙处的最大磁密约为0.35T左右,而未添加气隙磁芯在同一位置的磁密约为0.50T左右;同样的现象也出现在EI磁芯中。最大磁通密度值下降,有助于提高磁芯的抗磁场饱和能力,这样也有助于在磁芯设计中降低磁芯体积。图 9 气隙处的磁通密度仿真结果与磁通矢量图 3 结束语不同开气隙电感结构设计对电感器感量、磁芯损耗与磁场强度有重要影响,借助AnsysMaxwell有限元仿真计算分析表明磁芯中添加合适的气隙,可以降低磁芯的磁密,增强磁芯的抗饱和能力,但同时会损失电感量,并且电感量随着气隙长度的增加呈现非线性下降,随着气隙的增加,电感量变化率也有所减小。此外,磁芯损耗也会随着气隙的增加而增大,因此气隙的添加若想实现更为理想的结果,需要对气隙设计的位置与长度进行解析选择合适的气隙分布结构。由仿真结果可知,推荐选用中、边柱底部开气隙的磁芯结构进行Boost电感设计。来源:机电君

未登录
还没有评论
课程
培训
服务
行家
VIP会员 学习 福利任务 兑换礼品
下载APP
联系我们
帮助与反馈