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详解TVS二极管(ESD保护二极管)一次说清楚原理、特性、选型及注意事项!

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本文摘要:(由ai生成)
TVS二极管(ESD保护二极管)是保护电路免受静电放电和瞬态电压浪涌影响的器件。它通过反向击穿时导通来抑制过电压。选择时需考虑反向击穿电压、总电容、动态电阻等电气特性,并避免敏感信号线与可能引入ESD的走线并行。绝对最大额定值包括静电放电电压、峰值脉冲功率等,确保器件性能和寿命。

第2149期


第Ⅰ章:什么是TVS二极管(ESD保护二极管)?
第Ⅱ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的基本工作原理
第Ⅲ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性
第Ⅳ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的选型指南
第Ⅴ章:TVS二极管(ESD保护二极管)布局注意事项
第Ⅵ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的绝对最大额定值
第Ⅶ章:TVS二极管(ESD保护二极管)的电气特性

1、什么是TVS二极管(ESD保护二极管)?

ESD保护二极管是一种齐纳二极管。
当二极管反向偏置时,有很少的电流从阴极流向阳极。然而,当反向偏压超过某一点(称为反向击穿电压)时,反向电流突然增加。随着反向偏压增加,无论二极管流过的电流大小,二极管都会形成恒定电压区域。利用齐纳二极管击穿电压(齐纳电压)特性可以构成恒压稳压器,抑制浪涌电压。齐纳稳压二极管用于保持恒定电压,而ESD保护二极管用于吸收ESD能量,保护电路。 

1-1反向击穿电压

反向击穿电压由齐纳击穿或雪崩击穿决定。

齐纳击穿

当pn结反向偏置时,耗尽层延伸穿过pn结。电场造成耗尽层内p型区价带与n型区导带之间的间隙减小。因此,由于量子隧穿效应,电子从p型区价带隧穿到n型区导带。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致反向电流突然增加的现象。齐纳击穿如图1.3所示。

雪崩击穿

当pn反向偏置时,少量电子通过pn结。这些电子在耗尽层被电场加速,获得较大动能。加速电子与晶格中的原子碰撞电离产生电子空穴。这些原子的电子被激发到导带并脱离,成为自由电子。自由电子也加速并与其他原子碰撞,产生更多的电子-空穴对,导致电子进一步脱离的过程。这种现象称为雪崩击穿。

雪崩击穿和齐纳击穿对比

高击穿电压二极管掺杂浓度低,因此形成宽耗尽层(禁带)。相反,低击穿电压二极管掺杂浓度高,所以它们形成窄耗尽层(禁带)。二极管耗尽层宽时,不太可能发生电子隧穿(齐纳击穿),主要为雪崩击穿。高掺杂浓度二极管耗尽层窄,更容易发生齐纳击穿。随着温度上升,禁带(Eg)宽度减小,从而产生齐纳效应。此外,随着温度升高,半导体晶格振动增加,载流子迁移率相应下降。因此,不太可能发生雪崩击穿。齐纳击穿电压随温度升高减小,而雪崩击穿电压随温度升高增加。通常,大多数情况下,齐纳击穿电压约为6V以下,雪崩击穿电压约为6V以上。请注意,即使同一产品系列的二极管,温度特性也不一样。

图1.3齐纳击穿

1-2使用不同类型保护二极管(ESD保护二极管和用于过压保护的齐纳二极管)

ESD保护二极管是一种齐纳二极管,专门用来保护电路免受过压浪涌,特别是静电放电(ESD)事件的影响。ESD保护二极管主要用于ESD短脉冲,以及脉冲宽度几微秒以下的雷电感应和开关浪涌保护。专门用于脉冲宽度大于ESD浪涌保护的齐纳二极管,称为浪涌保护齐纳二极管。这些齐纳二极管适用于雷电感应和开关浪涌引起的、脉冲宽度大于几微秒的过压脉冲电路保护。

ESD保护二极管专门用于过压浪涌,特别是ESD放电电路保护,而不会影响信号线波形。ESD保护二极管电容为0.12pF至100pF。浪涌保护齐纳二极管具有宽结,以便吸收大量浪涌能量。这类二极管的总电容为100pF至600pF,适用于雷电感应和开关浪涌的保护。表1.2显示ESD保护二极管和浪涌保护齐纳二极管适用于不同类型过压浪涌脉冲:

保护二极管是一种齐纳二极管。齐纳二极管不仅可以用作保护二极管,还可以用作稳压器。保护二极管专门用于保护电路免受ESD和其他瞬变脉冲的影响。相比之下,用于稳压的齐纳二极管击穿模式下保持导通。

保护二极管

保护二极管用作浪涌保护电压钳。这类二极管在电路施加电压过大时导通。

稳压二极管

当小电流(IZ)从阴极(K)流到阳极(A)时,二极管两端的电压可用作恒压源(VZ)。可用功率受二极管允许功耗及安装板允许功耗的限制。

图1.7稳压二极管的工作原理

2、TVS二极管(ESD保护二极管)的基本工作原理

ESD保护二极管插在信号线与GND之间,保护受保护器件(DUP)免受电压浪涌的影响。正常工作模式下(即没有ESD浪涌情况),除极少量电流(IR)流过二极管使其反向击穿电压(VBR)高于信号线电压之外,几乎没有电流流过ESD保护二极管。当高于反向击穿电压 (VBR)的浪涌电压进入信号线时,ESD保护二极管将大量电流分流到GND,从而抑制浪涌电压低于反向击穿电压(VBR)。

2-1等效电路及优点

正常工作期间
ESD保护二极管通常放在信号线与GND之间。因此,这些二极管在稳态下充当电容器。由于它们的电容和信号线的电阻组成低通滤波器(LPF),因此ESD保护二极管会造成插入损耗(IL),降低信号质量,取决其速度(特别是USB 3.0和USB 3.1等高速信号质量)。

浪涌电压情况下
当浪涌或外部噪声通过连接器进入系统时,对后面器件(如IC)的影响很大程度上取决于是否有ESD保护二极管。没有ESD保护二极管,浪涌电流全部直接流入敏感器件,造成器件故障或损坏。如果电路有ESD保护二极管,大部分浪涌电流通过它们分流到GND。ESD保护二极管动态电阻(Rdyn)表示浪涌电流分流到GND的难易程度。低动态电流ESD保护二极管能将更多浪涌电流分流到GND。这种二极管也有助于降低动态电阻,即端子之间电阻的电压(称为钳位电压)。ESD保护二极管动态电阻低,可减小流入受保护器件(DUP)的浪涌电流,从而为DUP提供更可靠保护。


3、TVS二极管(ESD保护二极管)的主要电气特性


正常工作状态(无ESD事件)的主要特性
由于ESD保护二极管反向连接,正常工作时,其两端电压低于反向击穿电压(VBR)。因此,ESD保护二极管正常工作时不导通。此时,pn结形成耗尽层,二极管起电容器作用。选择ESD保护二极管时,以下三个注意事项适用于正常工作状态:

3-1-1 ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)
3-1-2 ESD保护二极管总电容(CT)相对于受保护信号线的频率是否足够低
3-1-3 信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样跨GND电位)

ESD事件保护主要特性
当静电放电(ESD)进入系统时,ESD保护二极管要么导通,要么反向击穿。单向ESD保护二极管通过正ESD电击时反向击穿,负ESD电击时导通吸收ESD能量。防止ESD脉冲损坏被保护器件(DUP),需要注意以下三点:

3-2-1 低动态电阻(RDYN
3-2-2 低钳位电压(VC)和第一峰值电压
3-2-3 ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理

3-1正常工作状态(无ESD事件)的主要特性(1)

3-1(1)ESD保护二极管反向击穿电压(VBR)是否充分高于被保护信号线的振幅(最大电压)

ESD保护二极管两端电压接近反向击穿电压(VBR)时,漏电流增加。电压接近VBR时,漏电流可能使保护信号线的波形失真。反向电流(IR)随反向电压(VR)成指数增长。选择VRWM高于被保护信号线振幅的ESD保护二极管非常重要。




3-1(2)ESD保护二极管总电容(CT)相对于受保护信号线的频率是否足够低

图3.3显示ESD保护二极管的等效电路。二极管在正常工作期间不导通。此时,pn结交界面形成耗尽层,如图3.3所示。耗尽层在电气上起电容的作用。因此,除非在考虑被保护信号线频率的基础上,正确选择ESD保护二极管,否则信号质量会下降。图3.4显示了总电容(CT)分别为5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保护二极管插入损耗特性。电容大的二极管插入损耗高(如图所示,特性曲线负值变化较大),从而限制了可使用的频率范围。例如,在Thunderbolt(带宽为10Gbps,相当于5GHz的频率)的情况下,电容小(0.1pF至0.3pF)的ESD保护二极管插入损耗小,几乎不会影响二极管传输的信号,而5pF电容的ESD保护二极管插入损耗大,通过二极管的信号明显衰减。





降低总电容
(总电容由二极管结电容和封装中的寄生电容组成。其中很大一部分是结电容。)

反向偏置时,二极管因pn结(p:p型半导体,n:n型半导体)形成耗尽层产生电容。与电容相反,耗尽层起阻挡层的作用,只有少数载流子通过。降低半导体区掺杂浓度会增加耗尽层宽度。因此,为了减小二极管的电容,有必要减小pn结面积或提高反向击穿电压(VBR),但任何一种方式都会导致ESD抗扰度下降。当两个二极管串联时,它们的组合电容减小。此外,二极管反向ESD能量耐受性比正向差。东芝低电容(Ct)ESD保护二极管采用ESD二极管阵列工艺(EAP)制造,多个二极管组合在一起减小电容,不影响ESD抗扰度。
图3.5显示EAP配置中低电容ESD保护二极管电路图。它由三个二极管组成:低电容二极管1和二极管2(电容分别为C1和C2)和高电容二极管3(电容为C3)。二极管1和二极管2的pn结面积小,反向击穿电压(VBR)高,而二极管3的pn结面积大,并且有足够大的反向击穿电压(VBR)。加到阳极的ESD电流沿正向流过二极管1,加到阴极的ESD电流沿正向流过二极管2,然后反向流过二极管3,因为二极管3的VBR低于二极管1。通常,二极管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二极管1和二极管2的pn结面积较小,因此它们的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保护二极管配置如图3.5(a)所示时,ESD电流不会反向流过二极管1和二极管2。因此,这个电路整体上提高了ESD抗扰度。图3.5(b)显示这个ESD保护二极管的等效电容电路。低电容二极管2和高电容二极管3串联,可以减小组合电容。此外,由于该电路VBR由二极管3的VBR决定,因此可以根据被保护的信号线调整二极管3的VBR,从而提高ESD抗扰度。

粗略总电容与信号频率

根据信号频率选择ESD保护二极管时,可参考图3.6。



3-1(3) 信号极性(即信号电压是否像模拟信号一样穿过接地(GND)电位)

考虑到要保护的信号线的极性,有必要选择单向或双向ESD保护二极管。不同类型的二极管用于仅正向摆动的未调制数字信号(例如,0V(逻辑低电平)与5V(逻辑高电平)之间),以及电压可正可负的无偏压模拟信号。双向ESD保护二极管可用于高于和低于GND范围的信号,如下图所示。(单向和双向二极管均可用于电压仅为正或仅为负的信号。)

3-2(1)低动态电阻(RDYN

在发生ESD冲击时,ESD电流同时流入ESD保护二极管和受保护器件(DUP)。这种情况下,减少流入受保护器件的电流(即增加分流到ESD保护二极管的电流)是十分重要的。
目前,ESD保护二极管数据表含有动态电阻(RDYN)。RDYN是反向导通模式下VF–IF曲线的斜率。如果发生ESD冲击,给定电压下,低动态电阻ESD保护二极管可以传输更大电流。
从连接器端看,ESD保护二极管和受保护器件的阻抗可视为并联阻抗。如果ESD保护二极管阻抗(即动态电阻)低,则大部分浪涌电流可通过ESD保护二极管分流,减少流入受保护器件的电流,从而降低损坏的可能性。



3-2(2)低钳位电压(VC)和第一峰值电压

图3.10显示采用IEC 61000-4-2规定ESD波形时,高低钳位电压(VC)ESD保护二极管的波形效果。这些波形采集于受保护器件(DUP)输入端。具有低V的ESD保护二极管在30ns和60ns处钳位电压低于具有高VC的ESD保护二极管。ESD波形曲线下的面积越小,受保护器件(DUP)受到的损坏越小。因此,具有低VC的ESD保护二极管可提供更好的ESD脉冲保护。此外,一些ESD保护二极管在ESD进入后不会立即响应。因此,如果ESD脉冲第一峰值电压高于ESD保护二极管的VC,则可能施加到受保护器件,造成故障或破坏。ESD保护二极管响应速度高于其他类型保护器件。此外,东芝正在优化芯片工艺和内部器件结构,进一步降低第一个峰值电压,从而在初始阶段对ESD峰值电压提供更可靠的保护。

3-2(3)ESD保护二极管吸收不同极性ESD脉冲工作原理

单向和双向ESD保护二极管可吸收正负ESD脉冲。

图3.11 ESD保护二极管浪涌吸收工作原理


选择正确的ESD保护二极管,请注意第3节介绍的主要电气特性。

1.保持被保护信号的质量
a)信号线电压
根据被保护信号线的最大电压,选择具有相应反向击穿电压(VBR)或工作峰值反向电压(VRWM)的ESD保护二极管。
b)信号极性
跨GND电平信号(如模拟信号),使用双向ESD保护二极管。
c)信号速度
根据被保护信号线的最大频率,选择总电容(CT)合适的的ESD保护二极管。

2.增强ESD保护性能
d)动态电阻
选择动态电阻(RDYN)尽可能低的ESD保护二极管。
e)钳位电压
根据所需VRWM选择最小钳位电压(VC)的ESD保护二极管。
务必选择VC低于受保护器件耐受电压的二极管。

3.ESD保护二极管ESD耐受性
f)IEC 61000-4-2
选择保证ESD性能高于系统ESD抗扰度要求的ESD保护二极管。
但请注意,ESD保护二极管的ESD性能通常与其总电容成正比。
g)IEC 61000-4-5
选择电气额定值高于峰值脉冲功率和峰值脉冲电流要求的ESD保护二极管。

4、TVS二极管 (ESD保护二极管) 的布局注意事项





不要将任何电路板走线与可能引入ESD脉冲的信号走线并行。特别是,避免ESD抗扰度低的器件电路板走线与可能受ESD事件影响的电路板走线并行。

绝对最大额定值

定义
ESD保护二极管最大额定值指最大允许电流、电压、功耗和其他电气特性。电路设计中,为了获得ESD保护二极管最佳性能并且保持器件目标工作寿命周期的可靠性,了解最大额定值至关重要。为保证ESD保护二极管使用寿命和可靠性,不得超过最大额定值。ESD保护二极管根据绝对最大额定值机制定义最大额定值。绝对最大额定值指任何条件下,即使瞬间也不得超过的最高值。如果施加的应力超过规定的额定值,器件可能会永久损坏。不得超过任何绝对最大额定值。因此,应注意电源电压波动、电子器件电气特性变化、电路调整过程中应力可能高于最大额定值、环境温度变化、输入信号波动等情况。应考虑的主要额定值包括ESD保护二极管的ESD容限、峰值脉冲功率、结温和存储温度。这些参数相互关联,不能单独考虑。它们还取决于外部电路条件。尽管绝对最大额定值通常规定的环境温度(Ta)为25°C,但有些规定参数温度条件不同。

静电放电电压(IEC 61000-4-2)(接触),VESD
指接触放电ESD容限,即通过与受保护器件直接接触放电。ESD容限是根据国际电工委员会(IEC)IEC 61000-4-2标准规定的方法和ESD波形测量的。规定的VESD值是测试波形的峰值。

静电放电电压(IEC 61000-4-2)(空气),VESD
指空气放电ESD容限,即被测器件(EUT)与放电枪之间通过空气层放电。IEC 61000-4-2规定了试验方法和ESD波形。

峰值脉冲功率(tp=8/20μs),PPK
PPK是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的最大浪涌功率。图6.1显示使用8/20μs脉冲波形测量的峰值脉冲功率。(8/20μs表示波形上升到100%需要8μs,从100%下降到50%需要20μs。)

峰值脉冲电流(tp = 8/20μs),IPP
IPP是ESD保护二极管本身损坏之前可以分流的峰值脉冲电流。
图6.1显示使用IEC 61000-4-5规定测试波形测量的峰值脉冲电流。

结温,Tj
Tj是ESD保护二极管可以不劣化或自损坏的情况下工作的最高结温。

存储温度,Tstg
Tstg是ESD保护二极管不加电压的情况下可以存储和运输的环境温度范围。


5、TVS二极管(ESD保护二极管)的电气特性

电气特性

工作峰值反向电压,VRWM
电压低于工作峰值反向电压时,ESD保护二极管阻抗非常高。(即使施加工作峰值反向电压,也只有小于规定漏电流的电流流过。)设计师可以用这个参数作为指导,确保其高于被保护信号线的最大工作电压。

总电容,Ct
CT是在指定反向电压和频率下施加小信号时,二极管端子上的等效电容。总电容是二极管的结电容与其封装的寄生电容之和。结电容随反向电压的增加而减少。

动态电阻,RDYN
动态电阻是指ESD保护二极管随着反向电压的增加反向击穿时,VBR与VC之间VF–IF 曲线的电流斜率。下面描述的动态电阻和钳位电压表示ESD保护二极管的ESD性能。

反向击穿电压,VBR
反向击穿电压是ESD保护二极管在规定条件下(通常定义为1mA,尽管因器件而异)开始传导规定量电流时的电压。VBR最初是为齐纳二极管定义的参数。VBR定义为ESD保护二极管导通电压。

反向电流,IR
反向电流是ESD保护二极管在规定电压下反向偏置时,反向流动的漏电流。对于ESD保护二极管,IR按工作峰值反向电压(VRWM)定义。

钳位电压,VC
钳位电压是ESD保护二极管指定峰值脉冲电流条件下最大钳制电压。VC通常在多个峰值脉冲电流点测量。如第6节(图6.1)所示,峰值脉冲电流使用8/20μs波形。动态电阻和钳位电压代表ESD保护二极管的ESD性能。

图7.1 ESD保护二极管电压-电流曲线



来源:电磁兼容之家
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首次发布时间:2024-04-30
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中,作者建立了混合动力汽车(HEV)驱动系统的数学模型,采用数值仿真的方法对绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)器件进行了仿真,其余部分采用测量数据进行建模,这种方法成功地解决了仿真时间长的问题,但它需要样机来测量并且可能需要大量的测量数据。文献 [5] 中,作者没有依靠测量,而是探索改进传统算法来加快仿真速度的可能性。研究表明,在车辆抗扰度分析中,混合有限元边界积分法(FEBI)比传统的有限元法(FEM)速度更快、计算量更小 ;但该方法在低频分析方面存在内在缺陷,而且目前还没有成熟的商业工具可以支持它。前面所述的问题实际上在当前的车辆电磁兼容建模中仍普遍存在。汽车电磁兼容通常需要大型复杂的系统仿真,因此会出现计算时间和内存大小的问题。此外,不可避免的多尺度模型,包括车辆、模块、组件和 / 或集成电路(IC)级特性,通常使得传统仿真效率低下,有时甚至无法使用 ;其次,存在潜在的知识产权问题。数字模型、几何 / 材料细节和设计细节可能被视为机密信息,并且通常不会在供应商和汽车原始设备制造商(OEMs)之间共享,这导致难以采用基于测量和 /或已知信息的富有创造性和高效的建模方法 ;最后要强调的是,建模和数值算法有不同的假设和要求,算法的选择和设置不当容易影响建模的准确性和效率。为了解决汽车电磁兼容建模中的一些难题,我们以混合动力电动汽车中射频干扰问题的建模为例,提出了一种分而治之的方法。简而言之,就是将一个复杂的大型问题智能地划分为多个领域,并对每个领域应用最合适的方法。2 问题描述在电动汽车(EV)或混合电动汽车中,大功率电动马达的引入增加了潜在电磁兼容问题(包括同一车辆平台中各部件 / 模块之间的噪声干扰)出现的可能性,图 3 展示了混合动力汽车的剖面图。如图 3 中所示,混合动力汽车的结构与内燃机汽车(ICE)非常相似,它只是有一些额外的电气部件,如高压电池、电动机和混合动力控制单元(HPCU,一个包含逆变器、启动器和发电机的模块)。然而,由于大功率电动机和脉冲宽度调制逆变器的应用,可能会出现更多的电磁兼容问题。图 3  混合动力电动汽车电机驱动系统实例在类似于图 3 所示的混合动力汽车的案例中,射频干扰(RFI)发生在电机驱动系统和射频天线之间。下文将研究并解释噪声机理。研究发现,主要的噪声源是脉冲宽度调制逆变器。图 4 显示了驱动牵引电机的三相脉冲宽度调制逆变器的典型输出电压波形(时域波形及频谱)。可以看出,脉冲宽度调制波形中含有大量的谐波。虽然基频大约为 100 Hz,但在几兆赫兹内的范围存在多次谐波,其幅值不容忽视,脉冲宽度调制逆变器输出波形中的这些高频成分成为该混合动力电动汽车系统中射频干扰问题的源头。图 4  脉冲宽度调制逆变器的输出电压波形及其频谱图 5 中进一步描述了噪声耦合路径。为了电气的安全性和可靠性,采用高压的电机驱动系统与车辆金属本体物理分离,但它通过寄生电容进行电连接,为共模电流提供返回路径。发动机安装在发动机缸体上,发动机缸体也与车辆主体物理分离,以减少电机运行时的振动。发动机缸体通过寄生电容与所述车体进行电连接。流经车体的共模噪声(如图 5 中带箭头的虚线)可以通过传导和 / 或辐射耦合机制干扰安装在车辆内部的音频和射频接收器。图 5  共模电流返回路径和噪声耦合路径的简化框图为了建立这个车辆级别的射频干扰问题模型,首先研究了 Brute-force 算法。作为要建模的主要结构(如图 6 所示),车体用划分的计算网格来表示,电机驱动系统中的电缆束用绿色表示,后窗天线用橙色表示。电动机用包含寄生效应的等效电路建模。由于半导体开关器件在逆变器中的非线性,时域仿真是电磁干扰分析的首选方法。然而,在场仿真工具提供的电路仿真器中很难对空间矢量脉宽调制逆变器进行建模。因此,分段线性电压作为一种近似值被用作逆变器建模。以天线端口的电压作为仿真结果对从电机驱动系统到天线的车辆级射频干扰水平进行评估。然后,使用 EMCoS EMCStudio 对整个模型进行仿真。虽然建立这个模型很简单,但是即使有大量的计算资源,这种蛮力求解算法也是极其缓慢。为了获得合理的结果,可能需要许多天的仿真,这对于工程设计和优化来说显然是不切实际的。此外,使用分段线性电压作为逆变器的近似值也会影响仿真的准确性。图 6  用 Brute-force 算法对车辆射频干扰问题进行建模3 提出的分而治之方法仔细研究 Brute-force 算法后可知,性能差的原因是时域电路仿真集成到了频域电磁(EM)仿真中。如前所述,由于现有商业工具的限制,逆变器的非线性行为不能包括在内。尽管已经进行了许多相关的研究工作,混合时域和频域仿真仍具有挑战性,尤其是对于大规模的复杂问题。应对这一挑战的一个自然想法是分而治之。在时域中,利用 SPICE 软件可以很好地对电机驱动系统进行仿真,包括非线性仿真。在频域中,采用数值电磁法可以很好地对电机驱动系统与车载射频天线的噪声耦合进行仿真。和其他分治法一样,关键在于如何有效而准确地连接这两个领域。在这个特殊问题中,如前所述,电缆束中流动的共模电流最终会导致耦合到天线端口的噪声。因此,它可以作为两个域之间的联系。在时域电机驱动系统仿真中,可以方便地计算出电缆束中的共模电流,它可以作为后续频域仿真中的噪声源,仅对车辆、电机束和天线结构进行仿真。下面将详细介绍这一方法的细节。3.1 电机驱动系统建模第一步是通过在 SPICE 中对电机驱动系统的等效电路进行仿真,得到电缆束中流动的共模电流。所以这一步的关键是构造 / 提取等效电路。等效电路中最关键的部分是 IGBT 模块,它是脉宽调制逆变器的核心部分,也是主要的噪声源。在本例中,电机驱动系统采用三相 IGBT 逆变器模块,采用数值模型对 IGBT 进行建模,该模型符合设备制造商提供的规范。如表 1 所示,这种基于数据表的建模方法可以在包含非线性的情况下,更准确地拟合 IGBT 器件的参数。表 1  动态参数拟合结果除了 IGBT 建模外,提取逆变器模块中与金属结构相关的寄生等效电路元件也很关键。如图 7 所示,在本例中,基于预先定义的电路原型,从阻抗测量中提取直流母线和输出桥结构的等效电路元件以及金属结构之间(包括位于 IGBT 模块下面的散热器)的等效电容。图 7  混合动力控制单元的寄生效应建模电机驱动系统建模的另一个重要方面是电机的寄生效应。在本例中,需要建立一个内埋式永磁同步电机(IPMSM)的模型。如图 8 所示,该电机由定子、定子绕组、永磁体和转子组成。除了磁铁以外,其他都由金属制成。正如我们所知,金属结构之间总是存在寄生电容。通过电机中的这些寄生电容,不需要的共模电流可以流入车体。因此,将这些寄生电容纳入等效电路至关重要。但是,由于寄生电容的复杂性,很难根据电机的结构来精确建模。因此,改用基于测量的方法来提取绕组之间、绕组和定子之间、绕组和转子之间以及转子和定子之间的寄生电容。图 8  电机的寄生效应建模电机的其余部分使用随时间变化的电感和电动势进行建模,通过仿真可以将电机的实际三维结构简化为模拟的 2D 结构。最后,在电机驱动系统模型中包含共模电流的返回路径也很重要。这里的返回路径指的是接地线和发动机缸体之间的寄生阻抗,如图 9 所示。在这个示例中,从阻抗测量中可以提取接地线的等效电路元件,从数值电磁模拟中可以提取寄生电容。图 9  共模电流建模中重要的返回路径图 10 展示了电机驱动系统的完整等效电路,包括前面讨论的逆变器模块、电机和返回路径的元件。此外,电池和电缆束分别被建模为理想电源和多导体传输线。图 10  电机驱动系统的完整等效电路,蓝色表示共模电流路径需要再次强调的是,由于共模电流很重要,因此,应该对寄生效应进行准确建模并包含在电机驱动系统的等效电路中。在时域内,可以利用 SPICE 软件对所得到的模型进行快速仿真。3.2 电机驱动系统与射频天线噪声耦合建模综上所述,耦合到射频天线的噪声主要是由电缆束中流动的共模电流引起的。在本混合动力电动汽车设计中,电机驱动系统中既有直流束也有交流束。通过实验研究发现,交流束是对安装在混合动力汽车上的射频天线产生噪声干扰的主要原因。因此,我们可以将耦合问题近似地表述为流入交流束的共模电流和射频天线在频域中接收的噪声电压之间的传递函数(TF)。因为耦合问题本身是一个线性问题,无论共模电流由于 IGBT 输出波形的时变性、非线性如何随时间变化。如图 11 所示,通过向交流电缆束注入 1 A 的恒定共模电流,然后在每个频率点观察天线输入端的接收电压,可以很容易地计算出电缆 - 天线的传递函数(TF)。在此设置中,不包括电池、逆变器模块和电机。图 11  混合动力汽车设计中传递函数仿真的设置示例图 12 绘出了计算得到的传递函数,也就是天线输入端口处的模拟噪声电压,该噪声电压是由于 1 A 共模电流进入到交流束中引起的。从计算的传递函数可以看出,三相电缆和天线之间的耦合是电感的。图 12  当 1 A 共模电流进入交流束,模拟天线输入端口的噪声电压3.3 分而治之方法的验证通过对 3.1 节中讨论的电机驱动系统的等效电路进行模拟,在时域中计算出进入交流束的共模电流后,利用傅立叶变换可以进一步获得其频谱成分。然后,将计算出的共模电流频谱乘以 3.2 节中计算的传递函数,得到天线输入端口处的计算噪声电压频谱。与第 2 节中讨论的 Brute-Force 算法相比,这个方法将整个问题分解为两个域,避免了使用频域电磁解算器的内置功能执行时域电路仿真的困难。它充分利用独立的能处理复杂时域问题的 SPICE 仿真器(带有更精确器件模型的非线性仿真),获得噪声波形,并能够模拟被动结构的电磁模拟器,以快速准确地获得传递函数。此外,由于传递函数的线性性质,电磁模拟所需频率点的数量可以显著减少,从而大大加快总体仿真速度。为了验证所提出的方法,当测试车辆运行时,在发电机室内对进入交流线束的共模电流和进入调幅天线的耦合噪声电压进行测量。图 13 显示了测量、计算的共模电流。可以看出,它们在调幅频率范围内非常一致,误差不超过 5 dB。这验证了 3.1 节中提取的电机驱动系统等效电路的正确性。图 13  从电机驱动系统的等效电路模型中,计算出进入交流束的共模电流,并与实测电流进行比较图 14 显示了耦合到调幅天线中的计算和测量的频谱噪声电压结果。同样,在高达 1.2 MHz 的频率下,它们彼此吻合。在 1.2 MHz 以上,它们之间存在几分贝的差异,这可能是因为本文所提出的方法仅考虑了来自电机驱动系统的干扰,而实际车辆中有更多影响耦合噪声电压的部件。图 14  使用所提出的方法计算的进入天线的噪声电压与测量的噪声电压进行比较另外还模拟了两种情况,其结果也包括在图 14 中:拆除电缆屏蔽层、移除发动机缸体和车身之间的接地线。电缆屏蔽层和接地线都是共模电流返回路径的一部分。结果表明,在研究的整个频率范围内,移除电缆屏蔽比移除接地线对调幅天线干扰的影响要大得多,这证明了返回路径设计在电机驱动系统中的重要性,以及所提出的分而治之方法在各种假设情景研究中的有效性。4 变频器位置改变的案例研究利用本文所提出的方法,进一步的设计探索可以评估可能的设计变化对干扰水平的影响。如前所述,交流束中流动的共模电流是安装在同一车辆上的调幅天线受到射频干扰的主要来源。因此,了解逆变器模块的位置对干扰的影响显得尤为重要。如图 15 所示,逆变器模块最初安装在车身内,与安装在发动机缸体中的电机分离,有一个交流束连接逆变器模块和电机。由于该交流束是对调幅天线造成射频干扰的主要来源,因此,进一步研究了设计上的变化,将逆变器模块移近电机并安装在发动机缸体中。如图 15所示,利用该方法计算并比较了两种情况下调幅天线端口的耦合噪声电压。很明显,通过缩短交流束的长度来改变设计可以大大减少干扰。图 15  改变逆变器模块的位置及其对调幅天线射频干扰的影响5 结论 本文研究了混合动力汽车电机驱动系统对射频天线的干扰,提出了一种分而治之的方法。与传统的Brute-force 算法相比,该方法成功地解决了复杂车辆级问题的仿真难题。 通过一种有效且高效的建模方法,可以轻松研究假设场景以进行设计探索和优化。在这个案例中,可以发现交流束中流动的共模电流是射频天线的主要干扰源,共模电流的返回路径也起着重要作用。电缆屏蔽、接地线和逆变器位置都会影响共模电流路径,从而影响干扰水平。此外,共模路径由车辆级设计决定,这解释了为什么标准模块级电磁干扰评估可能不足以描述实际的系统级电磁干扰性能。 仿真对于汽车电磁兼容性将变得越来越重要。本文用一个例子来解释了其趋势、挑战以及可能的解决方案。通过仿真可以更好地实现设计探索和优化,从而使电磁兼容设计和风险控制在早期设计阶段成为可能。范 峻IEEE 会 士、 清 华 大学学士和硕士、密苏里大学罗拉分校博士。2000 年至2007 年任 NCR 高级咨询工程师,2007 年加入密苏里科技大学,2016 年担任终身教授。2013 年起到 2020年回国,范教授一直担任密苏里科技大学电磁兼容实验室主任以及美国国家科学基金委产学合作电磁兼容研究中心主任。长期致力于电磁兼容领域(包括信号和电源完整性)的硬件设计和基础科研。曾担任 IEEE 电磁兼容学会多项职务,是 IEEE电磁兼容学会技术成就奖获得者。作者:范峻 来源:安全与电磁兼容来源:电磁兼容之家

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