双面烧结银技术替代焊带工艺，提升碳化硅模块的功率

双面烧结银技术替代焊带工艺，提升碳化硅模块的功率

一 利用预涂布烧结银的铜箔替代焊线

2023年初，SHAREX善仁新材协助客户推出GVF9880预烧结银焊片，帮助客户实现了双面烧结银技术的碳化硅模块。银烧结技术在所有连接连接中是高功率模组的不二选择，采用GVF9880可以显著提升功率模块的功率循环：芯片连接和焊线被预烧结银焊片统一取代。

善仁新材推出的双面烧结银技术利用烧结温度约为250度的有压纳米银AS9385系列，在20MPA的压力5分钟的条件下烧结成极低孔隙率的银层。得益于银高达961°C的熔点，它将碳化硅芯片、AMB表面和GVF9880紧密的连接到一起。

GVF9880代替了焊线的功能，与芯片的连接面积大大增加，浪涌电流能力增加约25%。与传统的功率模块相比，额外的性能使系统级的电流密度提高了一倍。

二 双面烧结技术的特点

1 高度可靠的烧结银连接代替焊料和焊线

2 高功率密度

3 高功率循环可靠性

4芯片互连的接触面积增大，浪涌电流增加了25%

GVF9800