迄今为止,通过激光增材制造来制造无缺陷的高性能纯钨一直是一个巨大的挑战。在这项工作中,天津大学,中南大学等合作使用纳米粉末作为前驱体,通过间接增材制造技术、粉末挤压打印成功制造了纯钨部件。对生坯的后续脱脂-烧结工艺进行了优化,以获得高相对密度、细晶粒和无缺陷的钨样品。样品的相对密度随着烧结温度的升高而升高。比较研究了直接和间接增材制造技术制备的纯钨的微观结构,包括激光粉末床熔融和粉末挤压打印。纯钨样品微裂纹的形成主要是由于激光粉末床熔化提供的高残余应力和钨的高韧性-脆性转变温度特性。具有最高抗压强度(1290±10MPa)的纯钨样品的烧结温度确定为2000°C。与其他烧结样品相比,在2000°C下烧结的无缺陷样品具有更细的晶粒(9.8μm),同时保持较高的相对密度(99.1±0.4%)。与通过其他直接增材制造技术获得并在其他温度下烧结的样品相比,在2000°C下烧结样品的更高强度与细晶粒强化和高相对密度有关。该工作开发的基于纳米粉末前驱体的间接增材制造技术为高性能钨和/或其他难熔金属的增材制造提供了一种新的技术途径。
相关研究成果以题“Achieving high-performance pure tungsten by additive manufacturing: Processing, microstructural evolution and mechanical properties” 发表在国际期刊《International Journal of Refractory Metals and Hard Materials》上。
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粉末成形示意图与粉末
在2000℃下烧结的纯钨样品的SEM图像
本工作创新性地将钨纳米粉用于间接增材制造(PEP),成功制造出纯钨绿零件。通过确定合适的脱脂和烧结工艺,成功制备了高相对密度、细晶粒和无缺陷的纯钨零件。样品的相对密度随着烧结温度的升高而增加,在2000~2300℃时达到99.0%以上。样品相对密度高的原因是具有高烧结活性的纳米粉体可以在烧结过程中促进致密化。与其他烧结样品相比,在2000°C下烧结的纯钨样品在保持高相对密度的同时具有细小的晶粒(9.8μm),具有最佳的相对密度和晶粒尺寸组合。在2000°C下烧结的纯钨样品的最高抗压强度为1290±10MPa,高于在2300°C下烧结的钨样品(1138±8MPa)和直接增材制造制备的钨样品,这可归因于细晶粒和高相对密度。