嵌入式开发，必须要学会区分 FLASH 和 EEPROM
存储器分为两大类：RAM和ROM，本文主要讨论ROM。ROM最初不能编程，出厂什么内容就永远什么内容，不灵活。
后来出现了PROM，可以自己写入一次，要是写错了，只能换一片，自认倒霉。人类文明不断进步，终于出现了可多次擦除写入的EPROM，每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下，想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话，为此你要把单片机放紫外灯下照半小时，然后才能再下一次，这么折腾一天也改不了几次。历史的车轮不断前进，伟大的EEPROM出现了，拯救了一大批程序员，终于可以随意的修改ROM中的内容了。EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的ROM来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称。这种ROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
例如我们常见的24C02：
FLASH属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它FLASH。
FLASH做的改进就是擦除时不再以字节为单位，而是以块为单位，一次简化了电路，数据密度更高，降低了成本。上 MB容量的ROM一般都是FLASH。
如 W25Q128JVSIQ：
FLASH 分为 NOR-FLASH 和 NAND-FLASHNOR-FLASH数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块来擦。依然W25Q128JVSIQNAND-FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页来读取。（NAND-FLASH按块来擦除，按页来读，NOR-FLASH没有页）
由于NAND-FLASH引脚上复用，因此读取速度比NOR-FLASH慢一点，但是擦除和写入速度比NOR-FLASH快很多。NAND-FLASH内部电路更简单，因此数据密度大，体积小，成本也低。因此大容量的FLASH都是NAND型的。小容量的2～12M的FLASH多是NOR型的。使用寿命上，NOR-FLASH的擦除次数是nand的数倍。而且NAND-FLASH可以标记坏块，从而使软件跳过坏块。NOR-FLASH 一旦损坏便无法再用。因为NOR-FLASH可以进行字节寻址，所以程序可以在NOR-FLASH中运行。嵌入式系统多用一个小容量的NOR-FLASH存储引导代码，用一个大容量的NAND-FLASH存放文件系统和内核。 著作权归作者所有，欢迎分享，未经许可，不得转载
首次发布时间：2024-01-20
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