一、mos管等效模型为：
二、简单导通过程
三、详细导通过程
导通时波形图为
导通过程分析：
T0~T1：驱动通过Rgate对Cgs充电，电压Vgs以指数的形式上升，此时Id没有变化
T1~T2：Vgs达到MOSFET开启电压，MOSFET进入线性区，Id缓慢上升，至T2时刻Id到达饱和或是负载最大电流。在此期间漏源极之间依然承受近乎全部电压Vdd 。
T2~T3：T2时刻 Id达到饱和并维持稳定值，MOS管工作在饱和区，Vgs固定不变， 电压Vds开始下降。此期间Cgs不再消耗电荷， VDD开始给Cgd提供放电电流。此时Vg电压到达米勒平台，Cgs电容充满，在这期间Id电流不变，Vd持续减小，mos管打开。
T3~T4：电压Vds下降到0V，VDD继续给Cgs充电，直至Vgs=VDD，MOSFET完成导通过程。
导通过程实测
四、关断过程
MOSFET关断过程是开通过程的反过程
五、重要说明
Vgs的各个阶段的时间跨度同栅极消耗电荷成比例（因△Q = IG△T，而IG在此处为恒流源之输出）。
T0 ~ T2跨度代表了Ciss（VGS+ CGD）所消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qgs(Gate to Source Charge)。
T2 ~ T3跨度代表了CGD（或称为米勒电容）消耗的电荷，对应于器件规格书中提供的参数Qds(Gate to Drain (“Miller”) Charge)。
T3时刻前消耗的所有电荷就是驱动电压为Vdd、电流为Id的MOSFET所需要完全开通的最少电荷需求量。T3以后消耗的额外电荷并不表示驱动所必须的电荷，只表示驱动电路提供的多余电荷而已 。
开关损失：在MOSFET导通的过程中，两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，那么这段时间里，MOS管损失的是电压和电流的乘积，称为开关损失。
导通损耗：MOS管在导通之后，电流在导通电阻上消耗能量，称为导通损耗
整体特性表现：
驱动电量要求：
△Q t0 ~ t4= (t4－t0 )IG = VG（CGS + CGD）+ VDDCGD
驱动电流要求：
IG =△Q t0 ~ t4 /(t4－t0 )≈△Q t0 ~ t3 / (t3－t0 )≈Qg/(Td(on) + Tr)
驱动功率要求：
Pdrive=∫t4－t0 vg(t)ig(t)≈VG△Q≈VG〔VG（CGS+CGD）+ VDDCGD〕
驱动电阻要求：
RG = VG / IG
一般地可以根据器件规格书提供的如下几个参数作为初期驱动设计的计算假设
a) Qg(Total Gate Charge)：作为最小驱动电量要求。
b)相应地可得到最小驱动电流要求为IG ≈Qg/(td(on)+tr)。
c)Pdrive=VG *Qg作为最小驱动功率要求。
d)相应地，平均驱动损耗为VG *Qg*fs
六、米勒平台的变动
mos管在不同的Id电流下米勒平台会有一些不同，电流越大，米勒平台高
在不同的Vds电压情况下，米勒平台开始上升的时间不同，电压越大，米勒平台持续的时间越长
https://blog.csdn.net/zhuimeng_ruili/article/details/110359392
