试了一下发射机的EVM仿真
前阵子，微 信来了一位号友，一聊，原来是同系师姐。
师姐说她，工作到现在，一直在技术一线。从毕业到现在，RFIC里的模块几乎都摸过一遍了。
听到这壮语的时候，我顿时佩服的五体投地。
互相介绍后，我们就开始聊技术问题，毫无违和之感。
(2)
前几天，师姐，给我发了一幅图，问我能不能建个模，验证一下这个理论计算。
前几天正被课程中的仿真搞的焦头烂额，所以就一直搁置着，这不，周六把纯射频层面的调制仿真讲完了，然后昨天，感觉DF的仿真也快有结果了，顿时心情大好，脑子里开始有空间，可以开始考虑这个事情了。
虽说，我目前正在做的是RX的系统仿真，但是不怕，技能是可以迁移的。
需要先理解师姐给的这幅图中每一项指标的意思。因为要对系统链路建模，除了知道大概框架之外，还需要知道每个器件的具体性能。
(2)
首先第一项，标题为Phase Noise Int。
这里，又可以复习一下相噪的概念。
一个理想的信号，可以用下式进行表示：
但是，在现实世界中，信号是这样的：
其中，A(t)代表幅度噪声，通常可忽略；θ(t)表示相位噪声。
L ( f )的单位是rad^2/Hz，对其取10*log()，即得到我们常见的dBc/Hz。
相噪可以用指定偏移频率处的相噪来表示，也可以用指定带宽内的积分RMS噪声表示，比如下面的相噪曲线图所示。
假设fmin,fmax分别是积分带宽的下限和上限。
那么：
相噪曲线图中的数值如下图：
RMS noise: 3.23258 mrad,185.213 mdeg
Intg Noise:-52.8193 dBc/19.69 MHz
用excel列出上面的公式，来复算一下上面的数值，完全符合。
再回到师姐的图中的第一项，即：
对应的rad值为：
积分带宽是1K~10MHz，通过小软件，来拟合出一种相噪的可能。
(3)
LO leakage：
LOL=-33dBc
即本振泄露到输出端的大小，这个指标，在现在用的仿真模板中，用一个信号源来模拟。
(4)
IQ Gain and Phase Imbalance
IR = -45.5dBc
因为IQ信号增益和相位的不平衡，会导致边带抑制变差，但是IR这个值是结果，需要拟合出IQ 增益和相位的不平衡的程度，才能在ADS里面进行建模。
如下图所示的直接变频发射机，理想情况下，即IQ完全匹配(增益失配和相位失配都为0)时，当输入I和Q信号分别为V0cos(win*t)和V0sin(win*t)时，可以得到输出信号的表达式为：
但是，当存在增益失配和相位失配时，输出会变为：
其中，上图中第一个红框中，表示幅度失配；第二个红框，表示相位失配。
所以，IR即是不想要的边带wc-win上的功率与有用边带wc+win的功率的比值，即：
用excel来模拟一下上述公式，来拟合出IR=-45.5dBc时，对应的幅度和相位失配。因为用的仿真模板，加入幅度失配比较容易，所以按下图进行设置，仿真出来的IR结果，与理论计算吻合。
(5)
IMD3=-38 dBc，可以估算出整机的三阶互调截点。
假设输出功率是15dBm，那么输出三阶互调截点约为34dBm，这个是在输入信号比较小的时候，出来的结果。如果信号使得放大器进入了一点点非线性的话，会有少许的差别。
所以，对放大器的TOI调整了一下，变为34.6dBm，使得仿真出来的结果，在输出功率为15dBm时，IMD3=-38dBc。
(6)
Band Noise：-50dBc@1KHz~20MHz。
设置链路的噪声系数，使得带内噪声为-50dBc。通过HB仿真，来确认设置的正确性。
(7)
现在开始仿真了哈。
首先，调制是16QAM，师姐实测的时候，用的是这个case。
但是，我目前对802.11n还不熟悉，所以就用了一个单个子载波，把symbolrate设置为14.44MHz。
仿真出来的结果，和理论计算的差一点，这边是0.022,理论计算是0.027。（也有一部分带外噪声计入带内了，因为ENV计算的是时域，所以带内的EVM，可能比0.022还要小一点）。
（8）
如果用射频层面的调制信号仿真的话，流程是这么一个流程。
等DF仿真走通了，可以再用DF流程跑一下。
参考文献：
[1] TI应用文档：Impact of PLL Jitter to GSPS ADC's SNR and
Performance Optimization
[2] David M. Pozar,Microwave Engineering
[3] 相噪与抖动转换的小工具：Abracon | Phase Noise Calculator
https://abracon.com/phase-noise-and-jitter-calculator
[4]razavi, 射频微电子
