DCDC选型时,如何计算MOS管的栅极电流?--高速电路实践案例4-6
2. MOS管作为压控流器件,为什么需要提供栅极电流?--MOS管寄生参数3. 文章目的:提供一种MOS管栅极电流的计算方法,如数据手册已提供栅极电流的近似计算方法,请忽略本文计算方法
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MOSFET完全导通时Vgs=4.5V(根据最大RDSon确定),输出电压3.3V,要求VGS>7.8V=4.5+3.3V(根据BUCK拓扑确定,可画简图辅助理解)设VGS=10V, 要求Tr<100ns,则Iiss=Ciss*dV/dt=6190pF*10V/100ns=619mAMOS管完全导通后,Crss靠近漏极电压由15V降到接近0V,Crss靠近栅极处电压由0V上升到10V,电压变化量为10V+15V=25V,则Irss=Crss*dV/dt=610pF*25V/100ns=152.5mAMOS 管的参数很多,大家设计过程中多关注一点,设计就能少出错。MOS管属于压控器件,工作的时候在栅极消耗的电流极小,响应速度和工作效率都远远高于三极管,非常适合DCDC应用。 著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2023-12-01
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