为啥找到的混频器，变频损耗差不多都在6dB左右呢？

选型无源混频器的时候，发现变频损耗一般都大于6dB，为什么做不到更小？

灵魂一问。

我印象中，在看混频器资料的时候，说混频器的变频损耗的理论值是3.9dB，但是没有去深究过到底是为啥。

小伙伴这个问题提出来了，然后我觉得，这个问题查查资料，应该能得出答案。

于是，我就开始看资料了。

但是，理想丰满，现实骨感，发现自己看了接近一上午，并没有搞懂。

写出来，让大家一起来看看。

也欢迎，有过研究的号友们留言讨论哈！

首先，我看的是基于文献[1]的关于变频损耗的论述。

如果混频器是无源混频器的话，比如二极管混频器时，其总的变频损耗是由多个损耗因素组成的，如下图所示。

理想情况下，混频器只产生上边带和下边带，所以与输入信号相比，会有3dB的损耗。

输入和输出的变压器，会在两个边带上叠加上0.75dB的损耗。

因为二极管的级联电阻Rs，所以还会有二极管损耗。

根据下式，对二极管损耗进行计算：

假定Rs=8 ohm，那么Diode Loss=0.5dB，所以混频器的总的变频损耗为：

章节中，还有一些其他的内容，也还是有知识盲点，没有弄懂。从上下文看，上面的这个例子，是针对双平衡混频器的。

接着，我又打开另外一篇文献，即文献[2]。

发现，不但没能解决文献[1]中的知识盲点，反而更迷糊了。文献中，完全又是另外一种思路。

文中，详细推导变频损耗的过程是基于单端混频器的。所谓单端混频器，如下图所示，RF输入和LO输入，通过耦合器或者滤波器，同时输入至传输线，而该传输线的另一端是一个二极管。

如上图所示的模型，因为结电容和封装寄生参数的影响，源电阻变为Z0.

本振信号，使得二极管，在接近一半的周期内导通，另一半周期不导通。所以二极管的反射系数，随着时间，周期变化。

然后文献中，基于二极管的I/V曲线，推导出二极管的电导，又根据电导推导出反射系数，然后根据反射系数推导出反射电压，然后就得到变频效率，进而得到变频损耗为：

文章中的相关内容，精读了一遍，然后又粗读了一遍，但是还是基本上是不理解的。

参考文献：

[1] RF/Microwave Circuit Design for wireless applications. Ulrich L. Rohde, David P. Newkirk

[2] Application note: Mixer and Detector Diodes