你可能不知道的leakage功耗计算

背景

leakage power在深亚微米下占比越来越高。在很多情况下，leakage power可能会占到芯片总功耗的30~50%。

即使在standby模式之下，leakage power也无法减少。

最有效的方法是关闭电源，但是并非所有应用场合都适用，因为启动的时间相对较长，也需要额外的面积来放置power switch。

之前我曾写过文章介绍leakage power的重要性。

这里稍作回顾。

动态功耗可以通过降频来调整。例如系统中主控芯片如果发现温度过高，可以降低频率，来减少散热压力。

而且动态功耗与温度无关，而是与频率，负载，电压相关。

但是leakage则相反，和频率无关，而与温度成指数关系。

 

想象一下，如果芯片中leakage占比较高的话，一旦某种原因，温度升高，可能leakage增大数倍。

而leakage的增大，进一步导致芯片温度的升高。

从而形成一个"温度-功耗-温度"的正反馈，导致芯片因过热而无法工作，甚至烧毁芯片。

leakage的计算

言归正传。

我们获得芯片的leakage power非常容易，可能只是一个命令。但是原理，可能并不是你想的那么简单。

以标准单元为例，leakage和标准单元本身的状态相关。

当stdcell有多个输入的时候，可能产生几十种状态，而每种状态leakage也是不同的。

 

这就涉及到了当我们进行leakage计算的时候，如何选择这些值。

以ICC2为例，

leakage power的计算方式分为三种

• average
• unconditional
• state

当以average模式进行计算时，工具会将所有状态的leakage取平均值。

当以unconditional模式进行计算时，工具会在lib中找到一个跟cell的状态无关的leakage值来进行功耗计算。

 

当以state模式进行计算时，则需要工具来判断cell所处的状态。某些状态可以通过set_case_analysis来推断。如果没有case语句，则按照每种状态出现的可能性相同来加权平均，最终值可能与average相同。

那么如果lib中没有leakage值怎么办？

你可以看一下lib的开头部分，还有个default_cell_leakage_power

如果用这个值产生的report，你有什么感想？

end

leakage计算中有很多假设和trade off，但这并不妨碍我们用这些值进行参考。

如果了解char-lib过程，你会发现，仅仅如何把total power分为dynamic power和leakage power，也并不是件容易的事情。

工程中，完成比完美更重要，何况完美并不存在。