首页/文章/ 详情

烧结银原理、银烧结工艺流程和烧结银膏应用

1年前浏览11322

  AS9375-8.jpg

烧结银原理、银烧结工艺流程和烧结银膏应用

烧结银主要应用在功率器件或者电力电子,特别是在新能源汽车和工业这块应用。

一 烧结银的原理

烧结银烧结有两个关键因素:第一,表面自由能驱动。第二,固体表面扩散。即使是固体,也会进行一些扩散,当两个金属长时间合在一起的时候,一定温度下,扩散会结合在一起的,但时间要足够长。烧结银,就是纳米银颗粒在一定温度和压力烧结情况下,能让银颗粒进行固体之间的扩散,最后就形成这样一个微观的多孔状的结构,因为我们用了烧结银的结构,所以现在主流的碳化硅模块的应用都和我们有相关的银烧结项目。

二 烧结银的工艺

要谈到解决方案,其实就谈到了工艺。接下来给各位看一下我们烧结银所对应的工艺。善仁新材的烧结银有膏状、点涂、印刷、膜状的,我们这边工艺有很多种工艺匹配,对应不同的产品。比如烧结银膜的工艺,只需要一台贴片机加压力设备就可以完成了。在晶圆级的连接上我们有相关解决方案,如果贵公司既有晶圆的生产又有封装的制造,晶圆也直接把烧结银膜贴上去,后面做封装简单很多,效率也高很多,问题也少很多。我们有这么多不同的产品,当你做到一定工艺以后最后表现出来的结果都是一致的。

三 烧结银的应用

善仁新材针对电力电子功率模块的烧结银分为三部分。第一,加压烧结银AS9385系列。这个行业用的烧结银现在都是印刷膏状的,我们公司除了印刷膏状的,还有点涂膏类型的烧结银,应用点主要就是不平整的平面烧结需求,用印刷工艺必须用到3D印刷,这样就增加了印刷难度和工艺难度,但是如果点涂就可以很好解决问题。第二,GVF烧结银膜。烧结银膜最好应用在小批量生产时候容易获得稳定产品质量的方案,现在很多与我们合作的客户刚开始先用烧结银膜工艺的,烧结银膜工艺成功量产后,再看是否选择其他方案。第三个就是TDS预烧结银焊片GVF9800,此类产品可以提高功率器件的通流能力和功率循环能力。还有一些应用在低压状态下的解决方案,比如像混合烧结、导电胶等,还有无压烧结银的解决方案都可以提供。

烧结产品在不同碳化硅模块等级里面的不同应用。我们把不同等级分为四大块,第一,芯片顶部的连接。第二,芯片的连接。第三芯片和基板的连接。第四,模块和散热器的连接。第五,晶圆级的连接。

1顶部连接-DTS(die top system)预烧结银焊片

顶部连接这块大部分材料和我们刚才说的烧结银的银膏、银膜、混合烧结这些都是可以用的,但是传统的工艺在在做芯片顶部连接时总会遇到一些局限。针对这些问题善仁新材专门开发出了一款DTS预烧结银焊片,根据芯片尺寸把焊片切割好了以后,贴到芯片顶部,后面的工艺就会非常容易实现,吸嘴把预成型的烧结银焊片吸起来,贴到芯片顶部,在一定温度下进行压力烧结,就可以很好地解决碳化硅用现有工艺的大规模生产问题。

2芯片和基板的连接

我们所对应的解决方案,第一,烧结银膏,包括点涂、印刷、喷印的,还有各种等级的银膜。在芯片和基板烧结的工艺当中,首先就是银膜工艺,如果以前没有做过烧结银的模块封装,可能刚开始想试试烧结银的模块,推荐采用烧结银膜的工艺,因为这个工艺最简单,而且工艺窗口也最宽泛,大家操控起来比较容易。烧结银膏既有印刷的又有点涂的,也有干法工艺和湿法工艺。干法工艺先做一次烘干,做完烘干以后再把芯片贴上去再做压力烧结。这个工艺,对印刷的工艺要求很高,同时设备投资很贵。还有一种工艺就是湿法工艺,芯片印刷完或点涂完以后先做贴片,这样印刷或者点涂的不良可以很好地避免。

很多厂家在量产功率模块的时候,工艺稳定性欠缺。SHAREX针对现在遇到的用膜的问题,把烧结银膜GVF9500直接切割成芯片的尺寸,使用烧结银膜的效率会更高,因为不需要再做切膜工艺,膜的覆盖也会更均匀更稳定。

为了控制芯片和基板之间的间距,善仁新材的烧结银做了特殊处理,烧结银总归会熔化后变成液态,芯片有时候会出现下沉和偏移的问题,打线工艺的时候有把芯片打碎的风险。如果用了预烧结银膜,芯片就能和基板控制的焊接非常稳定,打线不良率大幅度降低。善仁新材能把BLT在100微米的厚度控制在10微米以内。烧结银膜AS9500具有以下特点:可以进行热帖合工艺;完美控制BLT;贴合后无溢出等特点;可以用于Die top attach;Spacer attach;LF attach等应用;

3 模块的连接

善仁新材可以提供主要是烧结银膏、烧结银膜、预成型焊片。这个工艺推荐使用烧结银膏,要用厚一点的烧结银膏才能解决连接问题。可以用湿法烧结或者干法烧结的工艺,主要取决于模块和散热器的连接是一个平面还是一个非平面,如果一个平面用印刷就可以解决,如果不是一个平面建议用点涂的方式做,可以大幅度提高产品质量。

善仁新材的烧结银可以进行大面积的烧结,50*50mm面积用湿法烧结都没有问题。进行-40度到175度冷热冲击循环,基本上看不到任何开裂的表现。

4 模块和散热器的连接

散热器主要材质为铝或者铜,推荐使用AS9356烧结银和GVF9500烧结银膜

5 晶圆级的连接

推荐使用GVF9500烧结银膜

四 烧结银生态系统

第一,最主要的也是关键的东西就是要有好的烧结银。SHAREX针对整个碳化硅的封装和模块组装有烧结、焊接等不同产品解决方案。

第二,我们的烧结银选用了纳米结构的,可以增加它的烧结后的剪切强度:比如用德国某企业用微米级银粉的烧结银在邦定5*5mm的芯片到DBC上的剪切强度只有60Mpa;而用了纳米级银粉的烧结银AS9386的的剪切强度可以达到80Mpa以上。我们还有量产烧结银和低温浆料超过5年的批量生产经验。

第三,我们整个烧结银的生产都是我们全自主产业链自主可控的。从纳米银粉制造、烧结银膏制造、烧结银膜制造、DTS预烧结银焊片制造都是我们自己完成的。

第四,我们供应链有可靠的合作伙伴,我们只是一个材料供应商,现在碳化硅的工艺和设备、材料、测试总体配合的,我们现在和主流的烧结设备供应商有大量合作;我们也有和贴片机的厂家合作。

第五,烧结银工艺流程,我们不仅仅是材料提供商,我们也是整体解决方案提供商。我们愿意给各位提供烧结银封装的所有经验,我们在上海的研发中已经有7年的时间了,如果各位对这个感兴趣欢迎各位到我们研发中心参观,我们这个实验室就是为了中国碳化硅模块封装和中国电动车市场服务的。我们的实验室有完整的实验设备和测试设备。

善仁新材的独特优势:对烧结银和低温浆料以及工艺超过17年的深刻理解;纳米烧结银独一无二的性能表现;超过5年的烧结银和银浆的量产经验;烧结银全产业链自主可控。

 

 

燃料电池材料复合材料电子电控新能源航空航天电子风能电力太阳能化学控制半导体机-电-液-控制联合流-固&热耦合电场电路射频微波电源完整性电源热设计模具GPS规范3DCS南京大学 MatDEM3DECOpenFOAMMoldflowWindchillMSC 其他Actran Acoustics
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2023-07-21
最近编辑:1年前
烧结银
SHAREX烧结银知识分享
获赞 37粉丝 1文章 15课程 0
点赞
收藏
作者推荐

Die Top System +Thick Cu Bonding工艺提高功率器件通流能力

DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下,SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高,成为时下特别火热的发展领域之一。终端应用市场对于高效率、高功率密度、节能省耗的系统设计需求日益增强,与此同时,各国能效标准也不断演进,在此背景下,SiC凭借耐高温、开关更快、导热更好、低阻抗、更稳定等出色特性,正在不同的应用领域发光发热。新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装,以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例,导线架CopperClip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术,可实现高可靠、高导电的连接的需求,很多Tier1的控制器公司和Tier2功率模组制造商,在汽车模组中均或多或少的采用该烧结银技术,目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场,在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外,由于烧结银的膜厚只有20um-50um,不像传统的锡膏搭接方式可透过锡膏量的调整补正搭接面共平面度不佳造成的搭接问题,烧结银的搭接技术对于搭加处的共平面度要求公差只有20um,对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。在成型技术也相当困难,由于电镀银是局部镀银,相较于全镀,部分镀银技术很难,必须做模具,且放置芯片处用局部银,一个导线架搭两个芯片,芯片必须採局部银,其他导线架必须用镍钯金,材料差异对导线架制作是很大的技术挑战。众所周知,在单管封装中,影响器件Rth(j-c)热阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的导热率为370W/(m.K),远高于IGBT的Si(124W/(m.K)),甚至超过金属铝(220W/(m.K)),与LeadFrame的铜(390W/(m.K))非常接近。而一般焊料的导热率才60W/(m.K)左右,典型厚度在50-100um,所占整个器件内部Rth(j-c)热阻之权重,是不言而喻的。所以,单管封装中引入扩散焊“DiffusionSoldering”,省了芯片与leadframe之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiCMOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片工艺,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。目前,客户存的最大痛点是键合时良率低,善仁新材推出的预烧结焊片主要优势是:提高芯片的通流能力和功率循环能力,保护芯片以实现高良率的铜线键合。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类,二者集成为功率模块(包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块)。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高,当前的封装材料已经达到了应用极限。善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性,以及芯片连接的可靠性,并对整个模块的性能进行优化,还能帮助客户提高生产率,降低芯片的破损率,加速新一代电力电子模块的上市时间。GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding))能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍,并确保芯片的载流容量提高50%以上。GVF预烧结银焊片还可以使结温超过200°C。因此,GVF预烧结银焊片可大幅降低功率限额,或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。SHAREX的GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)是结合了烧结银,铜箔和其他材料的一种复合材料,由以下四个部分组成:具有键合功能的铜箔;预涂布AS9385系列烧结银;烧结前可选用临时固定的胶粘剂;保护膜或者承载物。GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)的使用方法为:Pick&Place;GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(DieTopSystem+ThickCuBonding)可以广泛用于:DieAttach,DieTopAttach,SpacerAttach等。采用了GVF预烧结银焊片工艺的DiffusionSoldering(扩散焊)技术。简而言之,就是在特定温度和压力条件下,使得SiC芯片的背面金属,与LeadFrame表面金属产生原子的相互扩散,形成可靠的冶金连接,以釜底抽薪之势,一举省去中间焊料,所谓大道至简、惟精惟一,惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之:采用了GVF预烧结银焊片工艺时,降低器件稳态和瞬态热阻,同时提高器件可靠性。在能源效率新时代,SiC开始加速渗透电动汽车、光伏储能、电动车充电桩、PFC/开关电源、轨道交通、变频器等应用场景,接下来将逐步打开更大的发展空间。

未登录
还没有评论
课程
培训
服务
行家
VIP会员 学习 福利任务 兑换礼品
下载APP
联系我们
帮助与反馈