SIC MOSFET驱动电路设计概述及其短路保护设计方法
导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。
随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。
开通需要门极电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。
具有更小的结电容，关断速度较快，关断损耗更小。
开关损耗小，可以进行高频开关动作，使得滤波器等无源器件小型化，提高功率密度。
开通电压高于高于SI器件，推荐使用Vgs为18V或者20V，虽然开启电压只有2.7V，但只有驱动电压达到18V~20V时才能完全开通。
误触发耐性稍差，需要有源钳位电路或者施加负电压防止其误触发。
触发脉冲有比较快的上升速度和下降速度，脉冲前沿和后沿要陡。
驱动回路的阻抗不能太大，开通时快速对栅极电容充电，关断时栅极电容能够快速放电。
驱动电路能够提供足够大的驱动电流。
驱动电路能够提供足够大的驱动电压，减小SIC MOSFET的导通损耗。
驱动电路采用负压关断，防止误导通，增强其抗干扰能力。
驱动电路整个驱动回路寄生电感要小，驱动电路尽量靠近功率管。
驱动电路峰值电流Imax要更大，减小米勒平台的持续时间，提高开关速度。
SIC MOSFET驱动电路设计
对于有IGBT驱动电路设计经验的工程师来说，SIC MOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似，可以在原来的驱动电路上进行修改参数进行设计。
SIC MOSFET电源的设计，根据其特性，需要有负压关断和相比SI MOSFET较高的驱动电压，一般设计电源为-6V~+22V，根据不同厂家的不同Datasheet大家选择合适的电源正负电压的设计，这里只给出一个笼统的设计范围。可以将IGBT模块驱动电源进行稍微修改使用在这里，比如，特斯拉在分立IGBT和SIC IGBT上都是用反激电源，具体电路参考历史文章中对特斯拉Model S 与Model 3的硬件对比分析中，也可以使用电源模块，比如国内做的比较好的金升阳的电源模块，可以降低设计难度，但成本也会相应的升高。
驱动芯片，英飞凌和ST都有相应的驱动芯片，并且原来英飞凌用于IGBT驱动的1ED系列和2ED系列都可以用在SIC MOSFET的驱动电路，如下图所示，英飞凌对SIC MOSFET驱动IC的介绍，具体的参数朋友们可以参考英飞凌的Datasheet（注：不是在为谁打广告，因为经常用英飞凌的产品，比较熟悉就拿出来对比）。
ST也有相应的门极驱动芯片，如Model 3上使用的STGAP1AS，具体的规格书大家可以参阅ST官网的Datasheet，或者回复本文题目：SIC MOSFET驱动电路设计概述，将会得到相应的Datasheet。
为确保碳化硅(SiC)功率器件在过载、短路等工况下能安全可靠地工作，必须充分认识SiC 器件的短路机理。由于SIC MOSFET晶圆面积小，电流密度大且短路能力较弱，因此对电路保护要求更高。
SIC MOSFET驱动电路与现有的SI功率器件驱动电路相兼容，但其驱动电路中的短路保护部分比较难搞。
一方面，在SI IGBT的数据手册中，短路电流及其与栅射级电压的关系曲线、短路承受时间是被列出来的，但主流SIC MOSFET的厂商在Datasheet中并没有提供关于短路承受时间与短路电流的数据。
以ST的650V/110A的SIC MOSFET，型号为：SCTW90N65G2V，和650V/120A的IGBT，型号为：STGYA120M65DF2，为例，参考其Datasheet进行对比。在特性中：IGBT的Datesheet明确标注短路承受时间6us，如图5所示，SIC MOSFET的Datesheet没有标注短路承受时间，如图6，IGBT的Datesheet中有IGBT短路电流时间与短路电流和VGE关系，如图7，而SIC MOSFET的Datesheet没有。
另一方面，一些研究人员已发表的关于SIC MOSFET的短路承受时间的数据都比较小。SIC MOSFET的单次短路承受时间很短，并且在进行重复性短路测试以后，SIC MOSFET会出现老化现象，例如CREE的第一代TO247封装的SIC MOSFET（CPMF-1200-S160B），在Vds=400V，Vgs=18V，Tcase=115℃，Ton=14us的条件下测试，1000次短路脉冲后，阈值电压和栅极漏电流出现明显变化，栅极漏电流增加了大约8个数量级，阈值电压增加了约0.9V，短路电流也出现明显下降。
在实际电路中，可能会出现两种短路故障。
一种是，在正常工作时，负载突然短路，器件从正常工作状态迅速转换成高压大电流状态；另一种是在工作前，负载已经处于短路状态，这时时从零电流状态迅速调至器件承受大电流状态。
在高压大功率应用中，SIC MOSFET会遇到短路或者过流的情形，驱动保护电路需要快速检测到错误状态，然后再器件和电路损坏之前安全关闭SIC MOSFET。在IGBT的短路保护电路中，常用的是去饱和检测Vce,去饱和电路也可以用在SIC MOSFET驱动电路的保护电路中，相对于IGBT来说，SI MOSFET的脉冲电流和短路承受时间更小，需要降低消隐时间和参考电压的阈值。如图8，IGBT的去饱和电路，C13_UB为消隐电容。
全文完~
