CMOS模拟集成电路设计1

      本次CMOS模拟集成电路设计1主要介绍PN结、双极型晶体管、MOS管几个基本的器件再介绍了MOS管的最基本的电流模型、其中包括线性区和饱和区的电流公式的推导过程，介绍了MOS管的沟道调制效应，衬片效应。其中沟道调制效应可以等效成沟道电阻即把沟道想象成一个电阻可以使抽象的概念形象化，方便我们理解。注意MOS管电压电流特性曲线各个部分的细节，知道沟道调制效应是如何在电压电流特性曲线上反应的。在学习过程中CMOS模拟集成电路设计中尤其要注重MOS器件基本公式的推导，跨导、输出电流、增益、输入阻抗、输出阻抗等公式的推导应该烂熟于心，下一次会推送MOS电路常见的几种结构包括共源级、共栅级、源级跟随等基本结构，其中包括电路的模型小信号等效电路等以及对相应参数的公式推导。

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