干货：纯手写学习笔记—模拟CMOS集成电路设计入门（2）
模拟集成电路设计第二章知识总结。
拉扎维在模拟CMOS集成电路设计一书中提到，在现代IC设计中必须充分掌握半导体器件的知识，这一点相对于数字集成电路设计，模拟集成电路设计往往有很多寄生效应，不能把晶体管当成一个简单的开关，晶体管的许多二级效应直接影响其性能，而且，因为现在IC技术中，器件的尺寸都是按比例缩小，所以这些效应往往更为关键，必须确定哪些效应在自己的电路设计中是可以被忽略的，从而设计出更加合适的电路设计。
所以从器件特性出发，研究其IV特性，研究其二级效应比如衬底效应，沟道长度调制效应等，同时器件的电容会影响其极点的位置，这一点不容忽视。
以下内容是学习的笔记，如有错误请批评指正！
（01）
（02）
（03）
（04）
（05）
（06）
（07）
（08）
（09）
（10）
（11）
（12）
（13）
（14）
（15）
（16）
（17）
（18）
（19）
（20）
（21）
（22）
（23）
（24）
（25）
（26）
END
作者 | 小刚
排版 | 黑小姐
图片 | 原创、创客贴
参考资料 | 《模拟CMOS集成电路设计》（作者：拉扎维）
登录后免费查看全文
著作权归作者所有，欢迎分享，未经许可，不得转载
首次发布时间：2023-06-27
最近编辑：1年前
硕士
立志成为集成电路领域专家
相关推荐
