干货：纯手写学习笔记—模拟CMOS集成电路设计入门（3）
模拟集成电路设计第三章知识总结。
拉扎维在模拟CMOS集成电路设计一书中提到，我们将要研究 CMOS 单级放大器的低频特性。在分析每个电路的大信号特性和小信号特性时,我们建立一些直观的方法和模型，这些方法和模型对于理解更复杂的系统被证明是有效的。电路设计者任务的一个重要部分就是采用适当的近似来建立复杂电路的简单的模型。这样获得的直觉知识使我们通过观察就能用公式表示大多数电路的特性，而不需要通过冗长的计算。
我们将首先回顾一些基本概念,之后讨论四种类型的放大器:共源结构、共栅结构、源跟随器和共源共栅结构。对每一种类型放大器,我们从简化模型着手,逐渐地再考虑诸如沟道长度调制和体效应之类的二级效应。
以下内容是学习的笔记，如有错误请批评指正！
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作者 | 小刚
排版 | 黑小姐
图片 | 原创、创客贴
参考资料 | 《模拟CMOS集成电路设计》（作者：拉扎维）
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首次发布时间：2023-06-27
最近编辑：1年前
硕士
立志成为集成电路领域专家
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