用Cadence Virtuoso IC617仿真工艺库参数

          

本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。

本文将会描述，如何通过V-I特性曲线得出SMIC 0.18um工艺库的工艺参数。

• 提取数据

之前已经得到了在不同的vgs下的vds参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。

为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vds范围改为0-2V，vgs范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，得出结果如下图。

选择Marker菜单中的Create Marker，在图标中添加标记，软件会自动得出相交点的数据。

添加一个垂直的标记，为了简便我选的是1V的坐标，点击OK后，再添加一个1.5V的坐标，这样我们就有了两组数据。

添加垂直标记后的效果，点击标记，就能显示出数值。这里为了方便计算，我选择vgs对应0.8V和1V下的数据，此时vds选择的是1V和1.5V。

具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大

• 计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。

2）P-MOS的测量

P-MOS的参数也是通过上面的方法测得。

• 提取数据

之前已经得到了在不同的vsg下的vsd参数曲线。原理图如下。W为220um，L为180um，后面会用到。

经评论区提醒，P-MOS的D和S反了，所以建议按下图构建原理图。由于原理图出错，后面结果和数据是错误的，大家自己计算一下吧。

为了更精确得到数据，这里改变一下扫描范围，vsd范围改为0-2V，vsg范围改为0.6-1.2V，步长设置为0.2V，添加1V和1.5V的Marker垂直标记线后，得出结果如下图。

具体的数据记录如下表，由于计算时都是约数，实际上小数点保留两位时影响并不大。其中IDS取的是绝对值。

• 计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。

以下是自己仿真过程：

1）N-MOS的测量

• 提取数据

用virtuoso仿真工艺库的参数，NMOS2V的参数工艺仿真，设置偏置

设置仿真变量：

设置W/L，其中W=220n，L=180n

vds范围为0-2V，vgs范围为0.6-1.2V，步长设置为0.2V

• 计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。

2）P-MOS的测量

对于PMOS2V,其测试图要小心

• 计算过程

通过引入带沟道调制效应系数的公式，三步得出结果。