LOD的手册上,都会标注,输入或输出电容的最小容值,以避免振荡。
本人特别胆小,担心测试的时候,万用表没操作好,导致钽电容爆炸,所以一般都会选择陶瓷电容。
比如上面的电容要求10uF,我一般会考虑电容会随温度有变化,所以会选两个10uF,或者一个22uF的电容。要求电压为10V的话,我一般会留个50%~70%的余量,所以会选一个20V左右承受电压的。自我感觉余量,已经留的很充足了。
最近,在选电容的时候,仔细阅读了一下特定型号的器件手册,比如说GRM21BR61D106KE15,发现其容值在有直流电压的情况下,几乎是成线性下降,10uF的电容,在DC bias为12V的时候,降到2uF。
以前,我真是没有注意到这一点。真是惭愧。
查找资料【1】,上面说,由于使用的材料的特性,X7R、X5R温度特性的多层陶瓷电容,会随着DC bias的增大而减小,C0G、U2J等特性的MLCC,其容值基本不受DC bias的影响。
钽电容和电介质电容,其容值也不受电压影响。
这让我想起了,村田官网上,新提供的电容的Dynamic模型。当时我心里还疑惑,怎么又整出来个动态模型呢。现在,终于是明白了。今天还特意用ADS仿真了一下,确实是把DC bias的影响也考虑进去了。
文献【1】: