以前的文章中,讲过关于链路中混频器的插损的问题。
具体如下:
调试过程中发现,接收机的增益不平坦度比理论值要大4dB左右。后来通过逐级排查,发现在混频器之前都是正常的。混频器后面的连接关系如下图所示。
混频器与后级的低通滤波器断开,测量混频器输出端的功率,增益平坦度正常。将低通滤波器与后级断开,测量低通滤波器输出端的功率,增益平坦度变差。低通滤波器是一个反射式滤波器,通过对带外信号的反射产生抑制。
考虑可能是因为混频器的高阶产物被滤波器反射回来,对混频器的工作状态产生影响,从而导致低通滤波器后的增益平坦度变差。在混频器和低通滤波器之间加了一个简单的一阶吸收式LC滤波器,增益平坦度改善了2dB。
所以喽,用吸收式的器件,是有助于链路性能的提高的。这也很好理解。
链路中的反射式滤波器和反射式射频开关,都是利用反射的原理,来实现滤波性能和开关功能的。
先说说滤波器。一般集总滤波器,都是由电感和电容组成。
如上图所示的2阶带通滤波器,在带内回波损耗<-10db,但是在带外则接近全反射。能量被反射,总归不是一个好事情。
要变成吸收式的带通滤波器,也比较简单。在LC并联支路上,加个50ohm,就可以了。如下图示例所示,滤波器的整体回波损耗都在-7dB以下。
还有射频开关。
根据开关OFF端口的结构,可以将射频开关分为吸收式开关和反射式开关。而反射式开关有可以分为短路反射式和开路反射式。
吸收式开关,在端口OFF时,会将其连接到内部的50ohm,但是这样,会牺牲点插损。你去psemi下low insertion loss的分类下查看的话,基本都是反射式开关。
反射式开关,在端口OFF时,不会连接到50ohm,因此VSWR会很大。开路反射式开关,在OFF状态下,不会连接到地,成开路状态。而短路反射式开关,在OFF状态下,连接到地,成短路状态。
psemi的网站上,高隔离度RF开关目录下,可以找到性能优异的吸收型射频开关。比如PE42420,它的原理框图如下图所示。
如上图所示,吸收式开关,RF1处于关闭状态时,它会连接到内部的50ohm,VSWR仍然很好。但是反射式开关,RF1处于关闭状态时,它会连接到内部的地,为短路状态,VSWR很大。
如果对开关在OFF状态下的驻波有要求的话,就选择吸收式开关;如果无所谓,但是介意其他性能指标的话,则可选择反射式开关。