板级低噪放和芯片级低噪放的区别(2)

两端口放大器的噪声系数，可以用下式表示，要是想知道下式的来历的话，可以参考文献[1]或[2],还有[3].

接着用反射系数来替代导纳，并且代入上面的公式，即：

上图中绿色椭圆形内的三个参数，最小噪声系数Fmin,最佳源导纳对应的源反射系数，晶体管的等效噪声电阻，称为晶体管的噪声参数，这三个参数，管子厂家一般会在s2p文件上提供。

而进行板级低噪放的设计，就是基于这三个参数，还有S参数。

具体步骤，可以参见利用ADS快速设计低噪放。

总的来说，板级低噪放的设计步骤可以概括为：

(1) 通过给管子增加偏置电路，或者调整输出端电路，或者在源极急加一小电感等措施，提高管子的带内稳定度

(2) 调整输入匹配网络和输出匹配网络，使获得折中的噪声和增益性能

(3) 带外稳定性的调节

以上，是板级低噪放设计的一些信息。

看razavi的射频微电子中的CMOS低噪放设计一章，其思路，我的理解是这样的。

razavi每种架构的分析，都是基于以下三点的。

(1) 在分析噪声系数这一指标时，其根据噪声系数的通用定义，给出了LNA相对通用的噪声系数。

(2) 在分析输入回波损耗这一指标时，razavi给出了几点理由，说明LNA的阻抗需要设计为50ohm。

(3) 另一个就是章节中每种电路架构的计算，还是基于模拟微电子来的。