共栅极架构LNA

在分析共栅极架构(CG)的LNA前，需要先回顾一下共栅架构MOS管的输入阻抗，输出阻抗和电压增益的推导过程。

具体可以看MOS管的三种基本电路。

共栅拓扑结构的电压增益，输入电阻和输出电阻的推导如下图。

如果考虑沟道调制效应，则又变成：

从上述推导，可以知道，共栅架构的输入阻抗很小，这使得其很容易达到50ohm。

不过，RD一方面为偏置电阻，另一方面又是增益的一部分；而作为增益的一部分，希望它越大越好；但是太大，又会使得管子上的VD电压变小。

为了避免这种矛盾的产生，对基本的CG架构进行改良，用电感来替代RD。如下图所示。