Ansys多物理场解决方案通过台积电N2芯片工艺认证

Ansys荣获台积电N2工艺认证，包括自热效应，以实现提高芯片可靠性和优化设计

Ansys宣布Ansys电源完整性软件通过台积电N2工艺技术认证，这将进一步深化Ansys与台积电的长期技术合作。采用纳米片（nanosheet）晶体管结构的台积电N2工艺标志着半导体技术的重大进步，其可为高性能计算（HPC）、移动芯片和3D-IC 芯粒（chiplets）带来显著的速度及功耗优势。Ansys RedHawk-SC和Ansys Totem都已通过N2电源完整性签核认证，其中包括自发热对导线及晶体管长期可靠性的影响。这项最新认证也是基于此前Ansys平台通过台积电N4和N3E FinFLEX工艺认证的合作上的延续。

台积电设计基础架构管理部负责人Dan Kochpatcharin表示：“台积电始终与我们的Open Innovation Platform®（OIP）生态系统合作伙伴密切合作，台积电最先进的N2工艺全套设计解决方案，可帮助双方客户实现最佳设计结果。我们与Ansys RedHawk-SC和Totem分析工具的最新协作，不仅有助于我们的客户从N2技术显著的功耗和性能改进中获得巨大优势，同时确保预测性准确的电源和热签核，从而实现其设计的长期可靠性。”

通过Ansys RedHawk-SC进行片上热/自热分析

随着技术规模的不断扩大，开关器件的自发热效应和互连的电流传导会对电路的可靠性产生影响。Ansys和台积电已经展开合作，利用散热器感知流程对此进行正确建模，该流程通过考虑可能会影响局部热点散热的相邻导线的热传导，提高了热量预测的准确性。通过这些计算，设计人员不仅可利用预测准确性来评估裕量，还可通过避免挥霍的过度设计来提高电路性能。

Ansys副总裁兼电子、半导体和光学事业部总经理John Lee指出：“Ansys已经为从半导体到系统的整个设计流程开发了一套综合热管理流程。我们与台积电的持续合作，将我们的多物理场分析扩展至最先进的工艺技术领域，我们共同开发了新颖的解决方案，以管理高速应用中的发热和热耗散问题。”