MOS管充放电原理

一.基本原理

MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生电容，这是由制作工艺决定的。MOS管的开通和关断其实就是对Cgs充放电的过程。开启时通过栅极R1电阻对Cgs充电，充电时间常数=R1*Cgs。所以R1较大的话，时间常数就大了。这样如果开关频率很高的话，在脉宽的时间内管子很可能无法 正常导通。

一般用方波来驱动MOS管，由于Cgs的电容效应，驱动波形发生畸变，如上图。所以gs波形的上升沿和下降沿会变缓，有时会产生振荡，所以在布板的时候，驱动环路一定要短，驱动芯片周围尽可能敷铜用地包起来，防止产生不必要的干扰。

二.参考电路

为了快速开通和关断，提供以下两种电路作为参考:

当OUT为高，由于D2反相，只能通过R1向MOS管充电，

当OUT为低，gs电容通过R2，D2向驱动放电。

R1，R2的值一般在10R左右，可根据测试的驱动波形适当调整参数。

下图原理分析类似

三.注意事项

MOS管gs间必须加一个5-10KΩ的放电电阻，这一点非常重要。

理由有二:

A. 防止在静电作用下，电荷没有释放回路，容易引起静电击穿；

B. MOS管在开关状态工作时，就是不断的给Cgs充放电，当断开电源时，Cgs内部可能储存有一部分电荷，但是没有释放回路，MOS管栅极电场仍然存在且能保持很长时间，建立导电沟道的条件没有消失。在下次开机时，在导电沟道的作用下，MOS管立即产生不受控的巨大漏极电流Id，引起MOS管烧坏。