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DCDC基础(8)-- 同步BUCK芯片的电性能参数解读二

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4. 电源良好指示


a. PG灌电流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA;

Sink Current即灌电流的意思,是数字电路的表示方式,电流方向指向芯片IO,与Souce Current 拉电流相对应。


按照我的理解,对于MOS管而言,灌电流就是漏极电流 Id,正常来说MOS管的漏极电流 Id远远超过4mA,但是为了满足逻辑要求,如上图所示,CMOS输出最大低电平必须小于输入最大低电平,即VOL(max)<VIL(min) 。

我去搜了一下STM32F103C8T6的关于灌电流的描述,对于8路I/O口同时输出低电平时,VOL<0.4V @ IIo=8mA才能满足逻辑0的要求,和这边PG灌电流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA表达的是一个意思。


PG为OD门输出,为了响应芯片内部的一些安全机制或者通过逻辑芯片连接到MCU/CPU的RESET引脚从而对系统进行控制,设计时需外接上拉电阻到VCC,MP4572芯片的VCC=4.9V。

因此这个参数指的是sink current < 4mA,VCC=4.9V时,外接上拉电阻R9 > VCC/sink current=1.25kΩ,典型应用推荐是100kΩ。


b. PG上升/下降延时分别为70us/25us




c. PG漏电流典型值为10nA;


VIN=24V,EN=0时,PG输入漏电流为10nA,此参数对于低功耗应用静态电流的计算尤为重要。


d. PG上升阈值/下降阈值  


Vref=0.8@25℃



单从表格看,确实有点混乱,需要去掉一个参数Vref,将PG上升和下降阈值和VFB联系起来,而VFB又是通过电阻对VOUT分压得到,所以PG与VOUT状态紧密相关。


PGRISING


① VFB / Vref =90% @ VFB rising     ,VFB=0.72V

② VFB / Vref =108% @ VFB falling  ,VFB=0.864V


PGFALLING


③ VFB / Vref =84% @ VFB falling    ,VFB=0.672V

④ VFB / Vref =116% @ VFB rising   ,VFB=0.928V


因此 :  

0.72V<VFB<0.864V时,PG发生上升沿跳变。

VFB<0.672V & VFB>0.928V时,PG发生下降沿跳变。


来源:射频工程师的日常
电源电路芯片控制
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2023-05-12
最近编辑:1年前
EE小新
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