“蔚小理华”大战800V超快充，电动车主的充电难题可以解决了？

在小鹏宣布G9搭载800V的高压平台，并推出相应超级快充S4充电桩后。理想也官宣了，在4月18号将会发布自家的纯电平台，将采用800V的高压电子电气架构，该电子电气架构有可能会在第四季度推出的理想纯电MPV上搭载。

而华为也推出来了自己的内部测试高压充电桩，高达600KW的充电桩，意味着理论上可以一小时充600度电，对于能承受高压的纯电车，100度电池（600-800公里CLTC续航）可能只需要十几分钟就能充满。

国内正式官宣把800V超快充作为技术趋势，可以追溯到2021年10月19日。

那一天，中国汽车工程学会主办的2021中国汽车工程学会年会暨展览会上，公布了2022年度的中国汽车技术十大趋势。

其中一个趋势就是打造800V的电压平台。

趋势6：国产高性能电动乘用车将更多采用800V电压平台

“电动汽车电气架构主要涉及动力电池、高压配电系统、电驱系统、电动压缩机总成、DCDC、OBC等。高压电气架构无中间电压转化效率损失，驱动系统采用宽禁带半导体，提高驱动系统效率。核心电动化部件突破800V高压化，可提升整车效率，配合大功率充电技术可实现极速充电。”

最早知名的800V高压快充的车型，毫无疑问就是2019年保时捷发布的Taycan，这款车型的量产，宣告了800V高压平台的序幕拉开。

但实际保时捷Taycan的800V高压平台，也是做了妥协的，空调压缩机是耐400V的，还需要额外配置一个转换器。

那么现在为什么越来越多的车企都想上800V高压快充，小小回顾下物理知识：

功率=电压*电流

想提高充电功率，要么提高充电的电压，要么提高充电的电流。

而电流损耗=电阻*电流平方

但是如果提高电流，那么因为电阻的原因，电流损耗将会以发热的形式相应增加，这也是为什么电流越高，快充的时间就越久，因为温度太高，启动了发热保护，切换到了缓充模式，自然无法持续快充了。

而如果提高电压，那么自然高压线束的线径就会更小，发热更低，除了能大幅减少充电时间外，还能有效减少高压线束的截面积，给车里大幅减重和提升车内空间。不要以为纯电车内的高压线很少，高压部件如动力电池、高压控制盒、车载充电机、驱动电机、电动空调压缩机，风暖PTC加热器都要用上高压线，线束长度合计起来估计有上百米，而现阶段260V-400V平台下的高压线束为了承载大电流，就已经很粗了。

回到800V超快充这个趋势，真正的技术难点实际不是在于充电的输出端，而是在于充电的接收端。

800V高压充电桩只需要把充电枪、接触器、线束、熔丝等部件更换升级成耐高压材料就可以。

而更换到800V的快充平台，对于车企来说，在技术和原料上属于要来一次大的更新换代。

如动力电池、高压控制盒、车载充电机、驱动电机、电动空调压缩机，风暖PTC，水暖PTC，DC/DC，逆变器，高压线束这些之前运行在400V-500V的高压零部件，都要更换成耐800V-1000V高压的零部件。

而其中最难，成本最高的，肯定就是IGBT到SiC的切换了。

简单解释下IGBT和SiC。

用硅晶片制作出来的半导体集成电路，叫做硅晶圆。

将硅晶圆进行切割后，得到的最小全功能单元称为管芯，将管芯进行组合装配和封装后，就能得到模块。

这个模块，我们就是指的IGBT模块。

而IGBT模块的成本约占电驱动系统成本的一半，电机驱动成本占整车成本的15%-20%左右。IGBT占整车成本的约8%-10%，是除了汽车动力电池之外的第二高成本原件。

而IGBT的替换材料则是SiC.

"碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的第三代半导体材料。"

传统的IGBT模块承受的最大电压是650V左右（耐高压高温的IGBT成本高昂），也是最近两年推出新车型的一个充电电压的上限。而SiC可以轻松承受超过2000V的高压和超过200摄氏度的高温，参数远远优于IGBT。

而对于电动车现有的电压平台，如果要升级高压平台，电驱系统的核心部件涉及到IGBT到SIC的转变。而大量的改变对于车企来说，一个是没有批量时对高额成本的考虑，一个是整体的电子电气架构工程设计变更的考虑。

这也是为什么800V快充虽然叫喊了好几年，但迟迟都没有普及到市场上的原因了。