基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆变器【顾亦磊教授】

基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆变器【顾亦磊教授】

在报告中，分析了光伏逆变器的特点、发展历程和现状，并针对效率和功率密度进一步提升的需求，总结了三条技术路线，包括软开关、多电平、宽禁带器件。在本报告中给出了阳光电源所承担的国家重点研发计划中对于高效率高功率密度的逆变器装备的研究进展。项目采用SiC MOSFET和Si IGBT的混合型逆变器拓扑，开发了一系列相应的关键技术。该逆变器加权平均效率达到98.9%，功率密度达到1W/cm3以上。最后，本报告对光伏逆变器未来进一步的发展趋势，以及对功率半导体器件提出新的需求做了阐述。具体报告内容如下：