[讨论]如何判断MOSFET和IGBT(模块)好坏？
[讨论]如何判断MOSFET和IGBT(模块)好坏？
资料一：
IGBT和MOS管的区别
IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾，关断速度会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通，就不受栅极控制，将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通，只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压，才能关断；IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内。
MOS管（MOSFET）的测试方法
场效应管，如果已知型号与管脚，用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间，G与D（漏极）之间没有PN结电阻，说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档，其表棒分别接在场效应管的S极和D极上，然后用手碰触管子和G极，若表针不动，说明管子不好；若表针有较大幅度的摆动，说明管子可用。
另外：1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别
（1）从包装上区分
由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特殊要求。
（2）用指针式万用表的电阻档测量。
用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值，N结的正、反向阻值，此管为结型管。
2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚
一般用R×1k或R×100档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同（均为几千欧）时，该两极分别为D、S极（在使用时，这两极可互换），余下的一极为。
由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。
IGBT模块的测试
1、判断极性首先将万用表拨在R×1K。挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）：黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KQ档，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发时极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时工GBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、注意事项任何指针式万用表铃可用于检测IGBT。注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×IOK挡，因R×IKQ档以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用护检测功率场效应晶体管（P一MOSFET）的好坏。
以两单元为例：用模拟万用表测量
静态测量：把万用表放在乘100档，测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子，显示电阻应为无穷大；
表笔对调，显示电阻应在400欧左右.用同样的方法，测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子，显示电阻应为无穷大；表笔对调，显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此IGBT的两个单元没有明显的故障。
动态测试：把万用表的档位放在乘10K档，用黑表笔接4端子，红表笔接5端子，此时黑表笔接3端子红表笔接1端子，此时电阻应为300-400殴，把表笔对调也有大约300-400殴的电阻表明此IGBT单元是完好的。
用同样的方法测试1、2端子间的IGBT，若符合上述的情况表明该IGBT也是完好的。
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的漏极（D），红表笔接IGBT的源极（S），此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT被阻断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT是好的。
注意：
1、测量时为了方便，直接在驱动板上的C、G、E拔下测量即可；
2、若进第二次测量时，应短接一下发射极（E）和门极（G）；
3、若用指针式万用表，判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT的好坏。
4、使用指针式万用表时，黑表笔对应电源正极，红表笔对应负极，因此在测IGBT时，测量端与数字表相反。
万用表测量流程
1、 红表接10，黑表笔接4，二极管压降档位，测量上管反并联二极管是否损坏，0.38V左右为正常；
2、 同上，测量下管反并联二极管是否损坏；
3、 红表笔接4，黑表笔接10，二极管欧姆档，测试上管IGBT是否损坏，正常阻值为兆欧以上；
4、 同上，测量下管IGBT是否损坏；
5、 测量5和6之间的电阻，确认NTC温度采样是否完好，25度环境温度时5k，损坏时要么为0，要么无穷大；
6、 测量7、8之间的阻值，确认上管IGBT门极是否损坏，安装驱动时为几k欧姆，没安装时为无穷大；
7、 同上，测量下管IGBT门极是否损坏；
资料三：
IGBT管好坏的检测方法
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G-E两极与G-c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e-C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3.5kΩ左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的e-C极间正向压降约为0.5V。
内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。实际工作中IGBT管多为击穿损坏。
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极管的判断。
对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反用二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性， 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏
讨论1：基本所有大功率器件的脚位都是固定的，GDS、GCE、BCE，所以短接13，二极管档测量23，红2黑3，应该是无穷大。红3黑2，MOSFET应该是0.6左右，IGBT不一定，BJT无穷大。13加12V电压，23之间应该是短路的，不适用于GaN器件和所有耗尽型器件—高博
讨论2：IGBT正确测量是测G、E间电容，测电阻根本测不准，因为有很多开路性损坏。多芯片并联的模块，损坏其中一个芯片（击穿故障），可以断开该芯片线路，降额使用。—眉间尺
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