首页/文章/ 详情

SiC MOSFET门极驱动设计与挑战

1年前浏览937

SiC MOSFET门极驱动设计与挑战

  前 言  

01


       


    大家好,今天分享南京航空航天大学秦海鸿老师关于SiC MOSFET门极驱动设计与挑战”的一篇研究报告,以期促进本领域的学术交流和技术进步,主要包括SiC MOSFET门极驱动面临的一些技术挑战(开关振荡、串扰抑制、EMI和短路保护等)、门极驱动电压建模方法、门极驱动参数优化方法等,内容非常实用,更详细的可以参考秦老师出版的相关书籍《碳化硅电力电子器件原理与应用》、《宽禁带器件驱动电路原理分析与设计》和《氮化镓电力电子器件原理与应用》等


  报告内容  

02


       




说明:本文来源网络;文中观点仅供分享交流,不代表本***立场,转载请注明出处,如涉及版权等问题,请您告知,我们将及时处理。

来源:电力电子技术与新能源
燃料电池电源电路电磁兼容航空航天汽车电力电子MATLAB参数优化电机热设计控制
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2023-05-21
最近编辑:1年前
获赞 149粉丝 248文章 2057课程 0
点赞
收藏
未登录
还没有评论
课程
培训
服务
行家
VIP会员 学习 福利任务 兑换礼品
下载APP
联系我们
帮助与反馈