小技巧 | 如何使用SIWAVE软件对DDR4进行仿真
DDR4作为量产SDRAM记忆体，其高速低功耗特性满足了众多消费者的需求。首先使用美光DDR4 MT40A512M16JY-075E（IBIS5.0 Power aware modl），配合SIWAVE内的SIwizard功能自动在Design内产生电路，自动连接SIwave内的DDR4真实DIMM model，做DD44 3200的模拟分析。
下图所有的电路连接（DQ Single-end,DQS differential pair），以及上图在SIwave中做pin group与下port，不管是signal nets for Si或P/G nets for PI，所有连接与设定工作都是自动完成。
使用SIwizard前，请先把IBIS model放到C:\Program Files \AnsysEM\AnsysEM18.1\Win64\buflib\IBIS路径下。
01
NO ON-DIE DE-CAP
下图是DDR4 3200MHz DQ[0:7]and DQS pair(all with ODT48)，可以清楚的看到有开启ODT时，DQ眼图中交叉点位置会上移，但信号高水位维持在1.2V，但是DQS差动信号的眼图交叉点则是维持在0V。DQS的jitter比DQ小是因为灌clock pattern，其他DQ则灌PRBS pattern。
02
ON-DIE DE-CAP AT TX
如果在Tx端VRM加on-die de-cap 10nF，会看到Tx端SSO of P/G明显变好，而这10nF是参考美光IBIS\SPICE quality report的说明(484pF per DQ pin)。
03
ON-DIE DE-CAP AT TX AND RX
此例就算Tx与Rx端都挂on-die de-cap，P/G上的SSN有明显改善，但眼图的p-p jitter却没有太大差异，主因是此处的jitter是ISI与DDI引起的，与bit pattern与crosstalk比较有关，PI的影响是其次。
04
TRANSIENTEYE VS. QUICKEYE
05
PRBS VS. DBI PATTERNS
Compare current consumption：current reduction 50%
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