PRL:硅上In线的光致相变机理

标题: Origin of Immediate Damping of Coherent Oscillations in Photoinduced Charge-Density-Wave Transition

作者：刘文浩§，顾宇翔§，王峙，李树深，汪林望*，骆军委*

单位：中国科学院半导体研究所

在 Si的(111) 表面上吸附单个铟原子层时(简写为In/Si(111))，在室温下形成 Si(111)-(4×1)-In 两个平行锯齿形 In 链组成的量子线结构(图1b)，具有金属性质。当温度降低到125 K 以下，In 原子重新排列成具有 (8×2) 重构的四重晶胞扭曲六边形(图1a)，伴随着周期性晶格畸变产生一维电荷密度波(CDW)，并打开带隙成为凝聚态物理中的绝缘体相（窄禁带半导体） (图1c )。激光脉冲辐照可以实现硅上In线在半导体相与金属相间的超快转变。但是，激光脉冲辐照下的硅上In线在转变为半导体相变后其相干声子振荡快速衰减，没有出现其他量子相变材料中普遍存在的两个相间来回振荡的现象。

为了研究硅上In线在光致相变后相干声子振荡快速衰减的微观机理。中科院半导体所骆军委研究团队和汪林望教授合作，利用含时密度泛函理论(rt-TDDFT)方法模拟了硅上In线在激光脉冲辐照下的动力学过程，在理论上首次重现了实验中观察的半导体相转变为金属相的超快过程(图1和图2)。他们发现激光脉冲把硅中的价电子激发到In线的表面态S1和S2导带，由于S1和S2能带来自单个In锯齿链上In dimer的成键态，光激发形成使该In dimer变长的原子力，驱动In原子朝着半导体相运动，在晶格周期下In原子的集成运动形成CDW相干声子模式，从而导致结构相变(图3和图4)。他们揭示，在转变为半导体相后，S1和S2能带切换为跨越两个锯齿In链上的原子，这种能带成分的转换导致原子驱动力的方向旋转约π/6，阻止了In原子在CDW声子模式中的集体运动。从局域原子驱动力进行解释，为光致相变过程提供了更加简单的物理图像，为实验调控结构相变提供了直观的理论指导。上述模拟均可在软件PWmat中实现。

相关研究成果以“Origin of Immediate Damping of Coherent Oscillations in Photoinduced Charge-Density-Wave Transition”为题发表于Phys. Rev. Lett上。论文共同第一作者为刘文浩博士和顾宇翔博士，通讯作者为骆军委研究员和汪林望研究员。该工作得到了基金委杰出青年基金项目、中科院前沿科学重点研究计划、中科院战略性先导研究计划等的支持。

10.1103/PhysRevLett.130.146901

图1. 光诱导半导体相(CDW)到金属相相变的动力学模拟及实验对比。

图2. 光诱导相变时间随激光密度(或电子激发数)的变化。

图3. 原子结构、原子受力和光激发电子分布随时间的演化。

图4. 能带结构及高对称点处的波函数。

图5. 基态和激发态声子模式的分析。