首页/文章/ 详情

HFSS仿真宝典 | 非屏蔽双绞线建模及其辐射发射仿真

1年前浏览1899

“ 本文介绍了两种双绞线建模方法，通过HFSS+Circuit场路协同仿真，分析差分线采用双绞与非双绞架构的辐射发射差异。”

关键词：双绞线建模，场路协同，EMC辐射发射

双绞线的两种建模方式

方法一（Draw Helix）：绘出需要双绞的线缆截面sheet，使用Draw Helix功能，设置节距Pitch与节数Turn，沿着设定方向进行双绞；

方法二（Sweep Along Path）：绘出需要双绞的线缆截面Sheet，沿着需要双绞的方向绘制Line，选中Sheet与Line，使用Sweep Along Path，设置绞线总度数360*N；

方法二在使用上有更高的自由度，可以沿着任意线条路径进行扫描

场路协同RE仿真

新建Circuit工程，并将HFSS模型添加至Circuit，将差分线的端口分别与激励源、匹配电阻进行连接，设置Nexxim Transient求解；

求解完成，右击HFSS链接的模型，Push Excitations（将Circuit中的仿真结果以数据导入的方式Push至HFSS），根据需要调高Maximum Frequency，FFT窗口类型最好选择Hanning；

观察对比两种结构线缆在相同激励下的1m法辐射差异；

显然，采用双绞线的差分线对辐射量级更低一些；（这里只保存了三个频点的场数据，如果需要对比更多频点，在求解设置里Save Field的频点要多加一些）

导致两种结构线缆的辐射差异原因：双绞线在单位长度内的磁力线总是相互抵消的；

来源：电磁学社

著作权归作者所有，欢迎分享，未经许可，不得转载

首次发布时间：2023-03-28