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5G首款国产BAW到底如何?

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材料来源于天津诺思官网。如有侵权,烦请告知。

一, 诺思公司简介

诺思(天津)微系统有限公司成立于2011年,总部设于天津,总注册资本人民币3亿元,是中国首家FBAR生产企业,公司从事无线设备射频前端MEMS滤波芯片、模块、应用方案的设计、研发、制造和销售,核心产品具有国际领先水平。从交付能力上看,整个2018年,诺思天津工厂交付能力达到3亿颗;南昌工厂完成设备调试接近尾声,2019年产能达12亿颗;18年7月,8英寸FBAR滤波芯片制造基地——诺思绵阳项目基地正式落户中国科技城。诺思的飞速成长也受到了业内的广泛关注,全球领先的FBAR射频滤波芯片制造基地的雏形已基本形成。

在技术和研发投入上,18年诺思研发投入近亿元在全球射频领域企业位列前茅。完善和强化了包括设计研发在内的技术体系、生产运营在内的交付体系等核心团队架构。新一代工艺路线图已经开始实施并取得初步成效,产品性能的各项指标实现大幅度的提升,从工艺到产品真正实现全球领先水平。面对市场客户不断提升的产品形态和产品性能的要求,19年诺思将以满足客户需求为出发点,进一步加大研发投入,提升产品性能,一致性与可靠性,成为广泛客户射频前端领域的优质供应商。

二, BAW 滤波器产品

   BAW 滤波器产品种类比较丰富,但是产品的datasheet却没有找到下载口。所以,只能从公布的材料中查找产品的性能信息。


RSFP2602D适用于5G n41频段,并满足Power Class2标准的小尺寸(1.4*1.1mm)BAW滤波器,具有低带内插损(Typical 1.5),高带外抑制(2.4G抑制/5G Wi-Fi频段/5GLTE频段),高功率容量(PC2)等特点,有助于解决5G小尺寸,高性能和高功率的业界痛点问题。


另一颗RSFP3500D适用于5G 3.5GHz的滤波器,同时满足中国电信3400MHz-3500MHz的频率需求,和中国联通3500MHz-3600MHz的频率需求,在小尺寸(1.4*1.1mm)上实现低带内插损(Typical 1.9)和高带外抑制(2.4G wi-fi抑制/5G wi-fi抑制/4G LTE频段),同时可满足高功率容量(PC2)等特点。


RSFM1801A拥有更为陡峭的滚降、更深的带外抑制水平和更优秀的隔离度等优势,为载波聚合技术带来了完美的解决方案。同时RSFM1801A产品设计为单端口天线连接方案,从而避免了天线开关的繁琐设计。RSFM1801A作为国内首款2.5mm×2.0 mm 尺寸的四工器产品,填补了国内多工器的空白,为通讯终端客户提供更优化的器件和方案选择。

RSFM1801A四工器具有低插损、高带外抑制、高隔离度和高功率容量等优良特性,为日渐小型化的终端客户机带来了接收端口(RX)更加优异的接收灵敏度,发射端口(TX)进一步减小了PA电流以改善客户机电池效率,并能够支持更高功率容量水平,从而给用户带来更优的使用体验。

RSFM1801A产品特点  

Band1,Band3通带更低的插入损耗(+25℃):
Band1Tx:
Typ./Max.1.4dB/1.9dB@1920~1980MHz
 Band1 TX Insertion Loss 
Band1Rx:
Typ./Max.1.2dB/1.8dB@2110~2170MHz
 Band1 RX Insertion Loss
Band3Tx:
Typ./Max.1.4dB/1.9dB@1710~1785MHz
Band3 TX Insertion Loss 
Band3Rx:
Typ./Max.1.5dB/2.4dB@1805~1880MHz
Band3 RX Insertion Loss
Band1,Band3高隔离度(+25℃)
Band1Tx:Typ./Min.61dB/57dB@1920~1980MHz
Band1Rx:Typ./Min.64dB/59dB@2110~2170MHz
Band1 TX-RX Isolation        
Band3Tx:Typ./Min.62dB/55dB@1710~1785MHz
Band3Rx:Typ./Min.65dB/59dB@1805~1880MHz 
Band3 TX-RX Isolation
Band1,Band3 更优的回波损耗 (+25℃):
Band1Tx:Typ./Min.19dB/17dB@1920~1980MHz
Ant:Typ./Min. 25dB/19dB@1920~1980MHz
Band1Rx:Typ./Min.24dB/19dB@2110~2170MHz
Ant:Typ./Min. 23dB/17dB@2110~2170MHz 
 Band1 TX/RX Port Return Loss
Band1 Ant Port Return Loss
Band3Tx:Typ./Min.20dB/16dB@1710~1785MHz
Ant:Typ./Min. 23dB/16dB@1710~1785MHz
Band3Rx:Typ./Min.19dB/14dB@1805~1880MHz
Ant:Typ./Min. 19dB/16dB@1805~1880MHz
Band3 TX/RX Port Return Loss
Band3 Ant Port Return Loss
从网络资料来看,诺思的产品已经达到了国际厂商的水平。生产交付能力也达到了一流水平。下一期会对国际大厂的产品做一下对比。期待国产雄起。
来源:射频学堂
芯片材料MEMS工厂
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2023-03-03
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射频学堂
硕士 学射频,就来射频学堂。
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