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趣谈基本传输线结构演变

7月前浏览16694

本文摘要(由AI生成):

本文主要介绍了同轴线的特征阻抗变化规律,以及如何通过调整同轴线的参数来改变其特征阻抗。同轴线的特征阻抗与电容有关,而电容与导体的尺寸和材料属性密切相关。通过调整同轴线的内导体半径、外导体半径、介质厚度和铜厚度等参数,可以改变同轴线的特征阻抗。此外,文章还介绍了微带线的特征阻抗变化规律,以及如何通过调整微带线的参数来改变其特征阻抗。最后,文章还提到了两个注意事项,即与特征阻抗有关的RLGC指的是单位长度的值,以及要看传输线的空间电磁场分布只能在Q2D或HFSS中进行。


传输线种类花样众多,如何从万千传输线中挑选最合适的类型,了解其传输模式,快速调整它的阻抗,是SI仿真的基本功之一。


微波信号最初在金属矩形波导中传输,矩形波导内部填充介质,再插入一颗“金属芯”,变成插芯波导,插芯波导由方变圆,形成圆形同轴线,再将同轴线进行各种拆分,比如劈掉上半部分变成了微带线(microstrip)、将外面的金属屏蔽层一分为二,即变成带状线(stripline)、或者直接掐头去尾,就变成GSG共面波导CPW,参考下图。




因此只需要了解传输线的老祖“同轴线”的特性,它的子孙如微带线、带状线、差分线的特性,自然就是小菜一碟。
撇开抽象的电磁波传播模式不谈,你只须知道,只有插芯波导可以传输TEM模,自然同轴线里面传输的也是TEM模,它的子孙因为血统不纯正,只能传输非正统的TEM模,也就是“准TEM”了,下面来看看正统的TEM是什么样的:
红色为电场E,蓝色为磁场H。



上面是从场的角度来认识同轴线,那么同轴线的特征阻抗又有啥变化规律呢?



真正的传输线特征阻抗计算公式是比较复杂的,对于做项目的人来说,没必要去掌握那些复杂的数学公式,简化的公式同样可以达到目的,如下图所示的简化公式,简单认为阻抗只跟电容有关系,而电容直接借用平行板电容的公式。



为什么只考虑电容呢?因为在高速信号领域,电感的理解比电容更难,存在多种电感的概念,比如:自感、互感、局部电感、回路电感,尤其是回路电感,这就涉及到信号路径和信号的返回路径概念,比较抽象,因此可以摒弃电感,只考虑电容对阻抗的影响。

电容的理解就很简单了,它是两个物体之间的固有属性,跟物体的尺寸和材料属性密切相关,根据公式可以知道,高介电常数的材料电容大,相对面积大,电容也大,间距大,电容就小。对于同轴,它的电容就是内导体和外导体之间的互容C11。





  • 同轴内导体半径r1对电容和阻抗的影响

从上面的阐述可以知道,如果同轴的内导体半径r1在增大,它与外导体的相对面积就会增大,同时跟外导体的间距也会减小,这都将导致电容C11增大,自然同轴的特征阻抗就会变小,你可以用Q2D很轻松的完成这个验证,参考下面两图。


  • 同轴外导体半径r2对电容和阻抗的影响


如果同轴外导体半径r2增大,自然互容C11会减小,那么阻抗随之增大,参考下面两图:



  • 总之,从互容的角度来调整阻抗是非常直观而且方便的,毋庸考虑抽象的电感的影响。



下面继续分析同轴线的第一个变种,微带线,它跟GND的互容可以直观展示如下:C=C11+C12+C13,其中C11可认为是正对GND plane的电容,C11和C13可当作是侧对GND plane的电容。其实C12和C13真正的物理概念是边缘场电容,为避免抽象的物理概念,我们简化为侧边对地电容。



  • 同样可以借助Q2D进行分析,当线宽w1增大时:

    类似于r1增大,对地的面积增大,电容C11增大,那么阻抗会降低,参考下面两图:


  • 当介质厚度h1增大时:

  • 当铜厚度t1增大时:


  • 当然你也可以看看微带线中的准TEM模,因为动态图比较乱,就放静态图了。




两个小注意事项:


  1. 与特征阻抗有关的RLGC,都指的是集总值,也就是单位长度的值,比如单位长度的电容pF/m,如果在Q2D中就是lumpd RLGC;

  2. 要看传输线的空间电磁场分布,只可以在Q2D或者HFSS中,Q3D不支持空间场plot,因为Q3D里面没有辐射的概念,它仿真的是电小尺寸结构,也即是辐射效率超级超级低的结构。



Electronics DesktopHFSSQ3D Extractor电磁基础射频微波信号完整性
著作权归作者所有,欢迎分享,未经许可,不得转载
首次发布时间:2020-04-29
最近编辑:7月前
萧隐君
硕士 | 高级射频工程... 大隐隐于市
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未登录
3条评论
施大锤子
90后通信人
2年前
电感也会变大吧
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陈超
签名征集中
3年前
学习!充电!2021年5月27日17:28:02
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拜拜有话要讲
签名征集中
3年前
赞一个,图文并茂。尤其第一张图对理解场约束性来说非常直观
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