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Rthjc 结壳热阻测试及案例分析

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Rthjc 结壳热阻测试及案例分析
Rthjc结壳热阻,是半导体的重要的指标之一,我们经常在半导体器件或模块的Datasheet里面看到一些数据,比如Rthjc等于0.56K/W。从某种意义上说,这个数据也表征了半导体的热性能,因此,无论是半导体供应方,或者是应用方,都会关注这个数据。
什么是热阻?热阻用于衡量热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,表明了 1W热量所引起的温升大小,单位为℃/WK/W。业界常用的热阻计算公式
热阻=温度梯度/功率
热阻等于温度梯度除以功率,这个公式也叫热欧姆定律。这里的温度梯度指的是两个点的温度差,结壳热阻的温度梯度指的是结温和壳温之间的温度梯度。
类似于结壳热阻Rthjc,还有Rthja(结到环境), Rthjb (结到底部,结到PCB),Rthjt(结到顶部), Rthjs(结到热沉), Rthjw(结到水),Rthjf(结到散热液)等等,其中温度梯度都是指的结温到某个温度测量点之间的温度差。
结壳热阻的温度梯度是结温到壳温之间的温度差,但是壳温是怎么定义,又是怎么测量呢?
当器件工作时,Case上的温度并不是一个单一值,无论是器件的上表面和下表面,温度基本都是高斯分布,也就是大概中间热,越向边缘,其温度越低,所以很多标准会把壳温定义为壳上温度最高点的温度。理想状况下,这个温度最高点应该是Case面的中心位置,但由于材料和工艺的问题,实际的产品所用材料并非均质,温度最高点未必是其中心,而决定于其实际的散热路径。这就给实际应用中对于壳温的测量带来了很多问题,由此也产生了很多测量标准。
器件需要PCB支持其工作,如下图所示:
图一 器件示意图
如上图,器件壳温测量点通常是器件的上表面的中心位置,比如贴上一个热电偶,可以得到其温度。
随着器件的功率密度越来越高,在散热结构上做了改进,不再把器件直接放在空气中,而是加个热沉帮助其散热,这时器件向热沉的散热路径是主要散热路径。由于热沉的存在,壳温测量反而成了一个难题。
图二 壳温的测量
A点是主要散热路径上Case面中心位置的点,也是理论上温度最高的点。但是该点的温度测量比较麻烦,早期的办法是在热沉下面打个测量孔,然后埋上一个热电偶。因为测量孔所在位置的散热性能远远低于热沉的整体散热性能,导致这个测量孔打在哪里,可能哪里就是温度最高点,测量孔改变了系统的散热路径,这样测量的结果一定是有误差的。为了改变这种现状,测量标准对测量位置又做了修改,测量孔不打透,在热沉上留2mm的距离。
图三 AQG 324——壳温测量
尽管这种设计改善了测量孔对散热路径的影响,但是也会产生了其他的误差——似乎并没有一个完美的测量方案。
2010JEDEC颁布了JESD 51-14的标准,通过双界面法测定器件的结壳热阻。
图四 双界面法测结壳热阻
双界面法的基本假设,结构函数表示系统一维散热路径的本征热特性,和功率无关。对比上图的实验,结构函数在Rthjc等于4.2K/W处发生了分离,实验改变的只是器件外部的散热路径,因此结构函数改变的位置所表征的热阻值,即是器件本身的结壳热阻。这种方式因为重复性很好,而被业内广泛使用。
对比Rthjc——JESD 51-14 & 通过结温和壳温的温差计算:

JESD 51-14    
结温和壳温的温度梯度    
结温测量方法    
ETM,计算T0j并校验    
ETM,没有计算T0j    
温度测量点    
仅测结温,瞬态采集    
测结温和壳温    
物理意义    
表征散热途径突变    
和散热路径没有直接关系    
对应于壳表面    
无对应温度测量点    
有明确温度测量点    
技术难度    
   
   
温度测量精度    
高,可以达到0.01°C    
没有明确要求,一般是0.1°C    
重复性和稳定性    
   
取决于测量方式的标准化程度,相对较低    
适用性    
适用于大部分器件    
仅适用于单面散热的器件    
通过上表对比,可以看出,通过两种方式测量的Rthjc,虽然名称相同,但是其物理意义是不同的。
下面我们尝试用一个案例来说明双界面法的Rthjc的实际物理意义。
样品,如下图:
图五 半导体的器件
测试条件,加热电流80A,测试电路0.1A,冷板为鲁欧智造研发的TC控温台(控温精度0.01度),温度控制25°C
双界面使用导热硅脂和硅油(第一次涂抹硅脂,第二次在器件和冷板之间涂抹硅油)
结构函数如下图:
图六 双界面法——硅油和硅脂
上图的分离点是比较明显的,肉眼观测,分离点大概在热阻值为0.22K/W位置附近。
其他的条件都不变,只更换介质条件,双界面用干接触和硅脂,结构函数如下图:
 
图七 双界面——硅脂和干接触
从上图,观测的分离点大概是0.15K/W的位置附近。
问题来了,究竟是0.15K/W是器件的结壳热阻,还是0.22K/W是器件的结壳热阻?
双界面法发生明显的分离,如果希望是肉眼可观测的,应该是热容和热阻均发生明显变化的位置。
我们分析图七,干接触和导热硅脂,虽然0.15K/W处开始分离,但是由于干接触和硅脂的热容都比较小,在分离之前,有一段很长的热容变化不大,而热阻变化比较大的重合部分,虽然这个部分是重合的,却不能把这部分认为是器件本身的热阻。实际上,当热容变化较小时,实际的结构函数很容易错位重合,仅仅凭借肉眼,是很难判定实际的分离点的。
而图六,分离点在0.22K/W附近,尽管热容热阻都有明显变化,但其后面没有一段体现硅脂或者硅油这种热容低,热阻高的曲线,分离点的实际物理意义,也不是结壳热阻。
综合上述两张图,个人判定,该器件在80A的电流下,用相应的冷板,其实际的结壳热阻应该小于0.15K/W,可能在0.09或者0.08K/W附近,或者更小。
针对以上问题,建议对本双界面实验重新做实验设计,可以设计为导热硅脂和焊接冷板上两种接触方式做比较。这两种方式,一种是热容急剧增大而热阻变化不大,另外一种,是热阻急剧增大,而热容变化不大,这样的分离点会更有说服力。
实际上所谓的结壳热阻也是人为的概念值,其分离点对应的实际物理意义并不明确——很难在实际的壳上找一个温度测量点和该值对应起来,也就是说,即使有一个准确的值,也很难通过实际温度测量点的测量去估算结温。而随着器件的几何复杂度的增加,这种现象会越明显。业内用Rthjc来评价器件的热特性,某种程度上说,也是不得已而为之的办法,如果要准确的描述器件的热特性,最终还是需要建立器件的详细热模型,也就是热数字孪生体,而基于热数字孪生体的降阶模型,对应结温的实时计算,哪怕是用很小的计算量,也能保证一定的精度,从而实现热电联合设计。

来源:今昔CAE随笔
电路半导体焊接理论材料数字孪生控制
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首次发布时间:2023-01-31
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