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300GHz工作频率下的高速通讯芯片诞生

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300GHz工作频率下的高速通讯芯片诞生

日本电报电话公司(NTT)和东京工业大学(TokyoInstitute ofTechnology)成功地制造了基于InP材料的高速通讯芯片,在300GHz的工作频率实现了全世界最快的传输速率100Gbps。他们共同开发了超高速无线前端IC,该IC在用于实现这种数据速率的太赫频带上工作。他们指出,由于可以确保宽频带,因此可以将太赫兹波应用于高速无线传输。在2018年6月10-15日举办的IMS2018(国际微波会议)上NTT介绍了该技术。

NTT-300GHz混频器IC和模块


研究人员利用磷化铟高电子迁移率晶体管(InP-HEMT)设计了一种独特的具有专有高隔离度设计技术的混频器电路。该混频器电路扩大了传输带宽,这是标准300GHz频带无线前端的一个问题。混频器电路还改善了信噪比(SNR)。此外,研究人员利用这一技术实现了一个300GHz频带的无线前端模块,并实现了100Gbps的无线传输。系统结构如下图:


在实验中研究人员成功实现了一个波(单载波)的100Gbps无线传输。因此,他们预计未来可利用300GHz频段的宽频带,搭载MIMO和OAM等空间复用技术扩展到多载波。

研究人员最新预测,该技术将会推动超高速IC技术的发展,实现每秒400吉比特的高容量无线传输,相当于目前LTE和Wi-Fi的数据速率的约400倍,以及下一代移动通信技术5G的40倍。该技术将开辟通信领域和非通信领域太赫兹波频段的利用。

本文来自《THzWave太赫兹世界》,如有侵权请联系小编删除。

来源:微波与电磁兼容
HFSS电路电磁兼容电子芯片通信材料
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首次发布时间:2023-01-07
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