区别在于承受的功率不同。以二功分器为例说明。
如图:
作为功分器来讲,信号从IN输入,当信号到达A、B二点时为同频同相信号。
所以R上无电流流过即无功率损耗, R在这里起到改善隔离的作用。
信号被平均分配到out1和out2上。
而此时的功率容量主要取决于微带线承载的功率。
当然R值的选取还应考虑out端开路、短路情况。
而上图作为合路器来讲,信号分别从out1和out2输入。
由于out1和out2是两个不同的信号源,它们在A、B两点的频率和相位均不相同。
此时R上就有电流流过。经理论计算(可参考:微带电路设计原理)R上承载的功率是1/2out1+1/2out2。
如果out1和out2分别输入10W功率,那么R至少要选10W以上的功率电阻。
同理说明out1和out2到达“IN”的功率只能是1/2out1+1/2out2。
有一种情况IN=out1+out2是可以成立的。
下图是一个100W功率放大器的原理图。
假如放大器1和放大器2管子配对无相位差,由于放大的是同一个激励信号。
在A、B两点是一个同频同相的50W信号。
R上无功率损耗。
因此能量被全部合成到C端口。
由于功分器通常采用微带结构,平衡电阻R一般取值不大。
且散热面也不够大,所以功分器不宜作大功率合成使用。
而两个大功率的载波信号合成建议采用3dB电桥。
由于3dB电桥可采用腔体结构,且可采用大功率外接负载适合大功率信号合成使用。