电源去耦电容的并联谐振峰

上篇文章介绍了电源去耦电‍容的阻抗特性，这篇文章来看一下电容并联后的阻抗特性。

我们回顾一下，1uF电容的阻抗曲线

我们现在来看2个1uF的电容并联后是什么结果：

相同容值的电容并联后，阻抗曲线整体向下平移（蓝色的），包括呈现感性的部分；

再来看一下10个1uF电容并联后阻抗曲线：

10个1uF电容并联后，阻抗曲线进一步向下平移（粉色的），也就是电容并联的越多，阻抗就越小；

下面看一下单个10uF的电容阻抗曲线（蓝色的）：

蓝色的为10uF，再分别来看2个10uF和10个10uF电容并联阻抗特性：

阻抗曲线也是呈现整体向下平移；

所以对于同一种容值的电容并联，阻抗相当于整体向下平移，此时并没有反谐振峰，下面看一下，1uF和10uF并联后阻抗特性：

--------------------------------啊哦-----------------------------

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继续，1uF和10uF并联后阻抗特性：

并联后阻抗曲线出现了反谐振峰，来看一下反谐振峰是怎么形成的：

可以看到，电容并联后的阻抗曲线有两个凹坑，频点就是1uF和10uF的自谐振频点，但是当10uF电容在自谐振频点以后开始表现为感性，而此时1uF的电容还表现为容性，相当于电感和电容并联，因此产生了并联谐振峰，可以看到并联谐振峰的频点就在10uF感性和1uF容性的交点处；

所以当不同容值电容并联时，要格外注意这个反谐振峰的值，很有可能导致PDN阻抗在某些频点超标；

图中就有两处反谐振超标，因此要特别注意，下面来看一下这个反谐振的值和哪些因素有关：

再来回看一下10uF和1uF并联的曲线：

我们把1uF换成2.2uF，也就是10uF和2.2uF电容并联阻抗如下：

当10uF和2.2uF并联时，反谐振峰变小，进一步缩小容值差，将2.2uF变成4.7uF：

反谐振峰几乎没有了，所以反谐振峰和并联电容的容值差有关，容值差越小，并联反谐振峰越小；（这是第一个影响并联谐振峰的因素）

我们继续探究，电容除了容值还有ESR、ESL两个值，先来看ESL，在1uF和10uF电容并联时，电感值为0.6nH，阻抗曲线如下（就是上边看的那个）：

如果将电感值改为1nH，再来看并联曲线：

反谐振峰变大，继续加大电感，变为2nH，阻抗曲线如下：

反谐振峰进一步增大，因此要格外注意减小电容的安装电感，这个以后专门说；

因此电容并联反谐振峰的大小还和电容的电感有关，电感越大，反谐振峰越大（这是影响并联谐振峰的第二个因素）；

继续来看ESR的影响，原始电容的ESR为5mohm，将上述2nH电感时的电容ESR改为1mohm，再来看并联阻抗曲线：

可以看到，并联谐振峰变大了，将ESR改为20mohm，并联阻抗曲线如下：

此时反谐振峰比ESR=5mohm时要小；

因此得出第三个影响电容并联谐振峰的因素，电容的ESR越小，并联谐振峰越大；

关于第三点有一个问题，就是，我们希望ESR小一点，这样可以减小电容的凹坑的值，这一点是有利于减小PDN阻抗的，但是要注意，此时并联反谐振峰可能也很大，因此，要特别注意减小容值差，减小电感值以免电容的并联谐振峰过大。

以上就是电容的并联谐振峰特性，以及影响电容并联谐振峰大小的因素，了解了这些，我们就可以在电容选值、PCB电感优化等地方找到理论依据，有的放矢。

下篇文章我们趁热打铁，来说一下，电容的容值该怎么分布；