在OBC拓扑中,传统的mosfet不能让开关损耗和效率得到最优化,而SiC mosfet可以通过高频化让OBC拓扑的开关损耗减小,效率得以优化,体积和综合成本得以减小。本文通过侧重对器件封装分析,讨论一下封装对OBC电路的性能影响。
一.碳化硅mosfet的优势
在EV的应用中,电源变换器的效率和损耗决定了里程范围和充电时间,所以提高EV的OBC的效率非常重要,宽禁带器件SiC mosfet是可以通过高频化有效提高电源的效率,减小损耗。
图1 RdsA-BV的各种技术对比
从图1所展示的各种结构SiC mosfet来看,cascode结构的SiC mosfet具有一定耐压下,Rdson和die面积乘积的最优化。
OBC的前级PFC一般采用图腾柱PFC,如图2所示,SiC mosfet非常适合高频化,并且具有良好的体二极管的反向恢复特性,使得图腾柱PFC可以很好的运行在硬开关控制中。
图2 交错图腾柱PFC功率电路
这里示例中,输入电压为230VAC,输出DC电压为400VDC,功率等级为6.6kW,它运行在CCM模式的硬开关电路,快速桥臂的工作频率为75kHz,慢速桥臂的工作频率为电网频率50Hz,两个快速桥臂运行于interleave模式下,通过采用750V,60mohm以内的SiC mosfet,可以将散热片或者散热流体的温度控制在110C左右。
OBC后级的DC/DC,一般采用LLC或者CLLC谐振电路以提高效率,典型电路如图3所示。
图3 CLLC DC/DC谐振电路
这里的示例中,功率等级6.6kW,开关频率300kHz,输出电压为400VDC,采用750V耐压60mohm以内阻抗的碳化硅mosfet,将散热器或者散热流体的温度控制在115C以内。
对于不需要反向工作的前级电路,可以采用维也纳PFC架构,来得到800V的总线电压,从中使用SiC mosfet也可以对导通损耗有很大帮助,如图4所示。
图4 三相维也纳整流电路功率级
这里的示例为22kW等级,运行于40kHz的开关频率,得到800VDC的总线电压,这里可以使用750V耐压40mohm以内的碳化硅Mosfet,结合1200V碳化硅二极管使用,将散热器或者散热流体的温度控制在120C以内。
二.SiC mosfet的封装考虑
SiC mosfet主要用于高压,大功率应用中,可以让电源转换效率达到99.5%以上,对于几千瓦的电源,损耗可以控制在10W以内。典型的封装为TO247,由于具有较小的Junction to case热阻,因此它具有较低的温升,相关的一些工艺如银烧结工艺,薄晶元技术等都可以改善器件热阻,通常这种封装还具有一个Kelvin连接pin,可以避免负载电流流过源极时对门级驱动回路产生影响,即TO247-4L封装.
这种封装虽然有着一系列的优点,如热阻小,散热好,但是它也具有很多不方便之处,例如,在安装方面就比较麻烦,因为通常TO247-4L或者TO247器件需要通过绝缘陶瓷和导热胶安装在散热器上,另一端需要进行PCB钻孔,焊接,弯折等,还要考虑器件pin脚隔离爬电距离,和绝缘间距等,这造成了比较多的安装及工艺成本。
相应于插件封装,就是典型的贴片封装,如D2PAK-7L,由于导通阻抗低,易于安装,可以直接通过回流焊焊接到一个绝缘金属基板上去,并且连接到液冷散热器上,这个过程不需要绝缘器材及导热胶。同时基于SMD的D2PAK-7L的结构,5个源极的pin脚可以产生很小的源极阻抗及寄生电感,pin脚爬电距离和绝缘间距也可以做到最大,这种封装可以应用在OBC电路中,产生更好的综合性能。
具体分析SMD的封装,由于散热焊盘面积比较小,所以相对具有的Junctionto case及case to heatsink的热阻会变大,这是封装物理限制导致的,但是SMD封装却可以带来较小的寄生引线电感,较大的绝缘间距及爬电距离。
图5 D2PAK-7L和TO247-4L的封装参数比较
通过图5我们比较了两种封装参数,SMD封装具有较小的寄生电感和爬电距离和绝缘距离,但是由于SMD封装散热焊盘的面积小而牺牲了一些热阻特性。
图6 TO247-4L封装的不同绝缘材料产生的热阻
图7 D2PAK-7L封装的不同导热介质厚度产生的热阻
从图6,7中所示的几种型号的SiC mosfet的热阻性能比较来看,图7中所示的SMD类型的器件热阻偏大,不管是Junction to case还是Junction to 导热介质热阻,较高的热阻会让同样的损耗加大温升,温升反过来会让Rdson增加,从而损耗更大一些。
具体拓扑的损耗和温升计算请参考原文,链接见附件,这里不详细探讨。
总结,本文通过对碳化硅mosfet的典型应用OBC拓扑,包含PFC和DC/DC部分及充电桩典型拓扑三相维也纳整流拓扑为基础,比较了插件封装TO247-4L/TO247和贴片封装D2PAK-7L各自的优缺点,不涉及具体的器件型号,只是对这一个层面的问题做个讨论,为后续进行更深入的探讨奠定基础。
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